[发明专利]P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610497847.4 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN106024864A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张林;张赞;高恬溪;朱玮 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/161;H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710064 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，P型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区，N型SiC欧姆接触区与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区的上部设置有第一N型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极、第一N型欧姆接触电极和第二N型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 静电感应 晶闸管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种P沟碳化硅静电感应晶闸管，其特征在于，包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极(9)、N型SiC衬底(1)、P型SiC缓冲层(2)、P型SiC漂移层(3)和P型SiC电流增强层(4)，所述P型SiC电流增强层(4)上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层(5)，P型SiC欧姆接触层(5)上部设置有P型欧姆接触电极(7)，P型欧姆接触电极(7)的形状与P型SiC欧姆接触层(5)相同，所述沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区(6)，N型SiC欧姆接触区(6)与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层(5)均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区(6)的上部设置有第一N型欧姆接触电极(8)，所述P型欧姆接触电极(7)、第一N型欧姆接触电极(8)和第二N型欧姆接触电极(9)均包括依次沉积的Ni层和Pt层。
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