[发明专利]使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201610440954.3 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN105957887B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | D.H.富赫斯;R.克內夫勒;J.莱文;H-J.舒尔策;W.舒斯特雷德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件。一种制造方法提供具有衬底层以及邻接衬底层的外延层的半导体器件。外延层包括不同导电类型的第一列和第二列。第一和第二列沿着主晶向从第一表面延伸到外延层中，沿着所述主晶向发生注入离子的沟道效应。第一和第二列中的一个的垂直掺杂分布图包括通过第二部分分开的第一部分。在第一部分中掺杂浓度以至多30%变化。在第二部分中掺杂浓度低于第一部分中的掺杂浓度。第一部分的总长度与第一和第二部分的总长度的比是至少50%。均匀的掺杂分布图改进器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 离子 注入 制造 半导体器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种超结半导体器件，包括：第一导电类型的衬底层；以及外延层，其邻接所述衬底层并且包括第一导电类型的第一列和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二列，第一和第二列沿着主晶向从与所述衬底层相对的第一表面延伸到所述外延层中，并且具有垂直于第一表面的垂直掺杂分布图，其中第一和第二列中的至少一个的垂直掺杂分布图包括通过第二部分分开的第一部分，在第一部分的每个中，掺杂浓度以相应第一部分内的最大值的至多30%变化，在第二部分中掺杂浓度低于邻接的第一部分中的掺杂浓度，并且第一部分的总长度与第一和第二部分的总长度的比是至少50%。
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