[发明专利]一种横向IGBT有效
| 申请号： | 201610344066.1 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106024873B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;邓高强;周坤;吴俊峰;张彦辉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT。本发明的横向IGBT器件，其技术方案是：SOI层上层两端分别具有P型阱区和N型阱区；N型阱区表面远离P型阱区的一端具有P型阳极区，P型阱区表面远离N型阱区的一端具有相互独立的P型体接触区和N型阴极区，N型阴极区位于靠近N型阱区的一侧；由P型体接触区和N型阴极区引出阴极电极；其特征在于，在靠近器件阴极一侧引入隔离槽，隔离槽沿器件纵向方向有开口，且隔离槽由位于槽内壁的介质层和由介质层包围的导电材料构成，其侧壁与P型阱区中的N型阴极区接触形成槽栅结构，所述P型体接触区和N型阴极区沿器件纵向方向均分为两段，两段之间有间距，并沿器件的横向中线呈对称结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 igbt | ||
【主权项】：
1.一种横向IGBT，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、介质层(2)和SOI层(3)；所述SOI层上层两端分别具有P型阱区(6)和N型阱区(4)；所述N型阱区(4)表面远离P型阱区(6)的一端具有P型阳极区(5)，由P型阳极区(5)引出阳极电极；所述P型阱区(6)表面具有相互独立的P型体接触区(11)和N型阴极区(12)，所述N型阴极区(12)位于靠近N型阱区(4)的一侧；由P型体接触区(11)和N型阴极区(12)引出阴极电极；其特征在于，所述SOI层(3)中具有隔离槽(9)，所述隔离槽(9)与N型阴极区(12)接触，隔离槽(9)深度大于P型阱区(6)的结深；隔离槽(9)沿器件纵向方向分为两段，两段隔离槽之间的间距为N；隔离槽(9)由位于槽内壁的介质层和由介质层包围的导电材料构成；由隔离槽(9)中的导电材料引出栅电极，形成槽栅结构，所述P型体接触区(11)和N型阴极区(12)均沿器件纵向方向分为两段，两段之间有间距，并沿器件的横向中线呈对称结构，两段P型体接触区(11)和N型阴极区(12)间距均为G，且满足G＞N。
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