[发明专利]半导体存储器以及数据写入方法有效
申请号: | 201610314547.8 | 申请日: | 2016-05-13 |
公开(公告)号: | CN106158031B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 村田伸一 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G06F11/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;陈岚 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及半导体存储器以及数据写入方法。目的在于提供能够在不招致访问时间的增大的情况下进行利用ECC的可靠性高的数据访问的半导体存储器以及数据的写入方法。基于示出写入数据片各自的块内的写入位位置的数据地址来检测示出写入写入数据片的每一个的块内的页面的写入页面地址。向在与k个页面各自对应的k个页面数据片之中由写入页面地址示出的页面数据片的每一个内插入至少1个写入数据片,将插入有写入数据片的页面数据片作为写入页面数据片,对写入页面数据片的每一个实施错误订正编码处理来得到编码写入数据片。然后,对属于由写入页面地址示出的页面的存储器单元的每一个施加基于编码写入数据片的写入电压。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 以及 数据 写入 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器,以由k个页面构成的块的单位将多个写入数据片写入到存储器单元中,其中,k为2以上的整数,所述半导体存储器的特征在于,具有:写入页面地址检测部,基于示出所述写入数据片各自的所述块内的写入位位置的数据地址来检测示出写入所述写入数据片的每一个的所述页面的写入页面地址;写入缓冲器,向在与所述k个页面各自对应的k个页面数据片之中由所述写入页面地址示出的所述页面数据片的每一个内插入至少1个所述写入数据片,将插入有所述写入数据片的所述页面数据片输出为写入页面数据片;ECC部,对所述写入页面数据片的每一个实施错误订正编码处理来得到编码写入数据片;以及解码器,对属于由所述写入页面地址示出的所述页面的所述存储器单元的每一个施加基于所述编码写入数据片的写入电压。
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