[发明专利]一种印刷制作有机场效应晶体管的方法在审
| 申请号： | 201610286716.1 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN105932156A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 赖文勇;黄维;林燕;刘城芳 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种印刷制作有机场效应晶体管的方法，具体是一种插入离子自组装层作为电极修饰层大幅改善喷墨打印制作有机场效应晶体管(OFET)器件性能的方法。所采用的器件结构是底栅底接触结构：栅极/绝缘层/绝缘层修饰层/源漏电极/电极修饰层/半导体层。其中器件可以在硅片上制备，也可以在柔性基板塑料、相片纸等上制备，源漏电极可以是金、银等材料，半导体层可以是并五苯、聚噻吩（P3HT）、聚噻吩衍生物（PTB7）等。其制备方法可以是喷墨打印、丝网印刷等。本发明的方法，操作简单易行、节省材料、环境友好，并且加入电极修饰层后可以显著降低接触电阻提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 印刷 制作 有机 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种印刷制作有机场效应晶体管的方法，其特征在于：采用喷墨打印技术制作有机场效应晶体管，器件结构是底栅底接触结构：栅极/绝缘层/绝缘层修饰层/源漏电极/电极修饰层/半导体层；器件在硅片上制备，或在柔性基板塑料、相片纸上制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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