[发明专利]平面型VDMOS器件的制作方法有效
| 申请号： | 201610282623.1 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN107331617B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲;马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陶敏;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种平面型VDMOS器件的制作方法，该方法包括：对栅氧化层上的多晶硅层进行光刻、刻蚀，在栅氧化层上方的中间区域形成栅极，栅极的截面宽度为A+X微米；制作平面型VDMOS器件的P‑体区；在栅极的阻挡下，制作平面型VDMOS器件的P+深体区，使P+深体区的扩散宽度为X微米；采用低温氧化工艺，将栅极外侧的多晶硅转换为氧化层，氧化层的厚度为X/2微米，以使栅极的边界与P+深体区的对应边界齐平；去除栅极外侧的氧化层以及栅极左右两侧的栅氧化层；以栅极为阻挡，做自对准的N+源区注入及驱入，形成N+源区。P+深体区对沟道不会造成影响，器件更稳定，能够获得结深更大的深体区，器件获得更好的EAS能力。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 vdmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种平面型VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：/n对栅氧化层上的多晶硅层进行光刻、刻蚀，在所述栅氧化层上方的中间区域形成栅极，所述栅极的截面宽度为A+X微米；/n制作所述平面型VDMOS器件的P-体区；/n在所述栅极的阻挡下，制作所述平面型VDMOS器件的P+深体区，使所述P+深体区的扩散宽度为X微米；/n采用低温氧化工艺，将所述栅极外侧的多晶硅转换为氧化层，所述氧化层的厚度为X/2微米，以使所述栅极的边界与所述P+深体区的对应边界齐平；/n去除所述栅极外侧的氧化层以及所述栅极左右两侧的栅氧化层；/n以所述栅极为阻挡，做自对准的N+源区注入及驱入，形成N+源区。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610282623.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
