[发明专利]三维半导体器件

摘要

本发明公开了一种三维半导体器件，该三维半导体器件包括：在基板上的电极结构，该基板包括第一区和第二区，该电极结构包括顺序地层叠在基板上的接地选择电极、单元电极和串选择电极，其中接地选择电极、单元电极和串选择电极分别包括接地选择焊盘、单元焊盘和串选择焊盘，该接地选择焊盘、该单元焊盘和该串选择焊盘在基板的第二区中限定阶梯结构；穿透每个单元焊盘和在每个单元焊盘下面的电极结构的一部分的多个虚设柱；和电连接到每个单元焊盘的单元接触插塞，其中每个虚设柱穿透在相邻的单元焊盘之间的边界，以及其中相邻的单元焊盘共用虚设柱。

主权项

一种三维半导体器件，包括：在基板上的电极结构，该基板包括第一区和第二区，该电极结构包括：接地选择电极，单元电极，和串选择电极，其中所述接地选择电极、所述单元电极和所述串选择电极分别包括接地选择焊盘、单元焊盘和串选择焊盘，该接地选择焊盘、该单元焊盘和该串选择焊盘在所述基板的所述第二区中限定阶梯结构；穿透每个单元焊盘和在每个单元焊盘下面的所述电极结构的一部分的多个虚设柱；和电连接到每个单元焊盘的单元接触插塞，其中每个虚设柱穿透在相邻的单元焊盘之间的边界，以及其中所述相邻的单元焊盘共用所述虚设柱。