[发明专利]射频开关器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610160489.8 | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105742363B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种射频开关器件及其形成方法，其中，射频开关器件包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源区和漏区，分别位于所述栅极结构两侧的基底中；源金属层，位于所述基底上，所述源金属层与所述源区对应连接；漏金属层，位于所述基底上，所述漏金属层与所述漏区对应连接，所述源金属层上和所述漏金属层上具有介质层；金属层，在所述介质层上，且所述金属层至少投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面。所述射频开关器件增强了在关态下漏金属层和所述源金属层的隔离性能。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 开关 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频开关器件，其特征在于，包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源区和漏区，分别位于所述栅极结构两侧的基底中；源金属层，位于所述基底上，所述源金属层与所述源区对应连接；漏金属层，位于所述基底上，所述漏金属层与所述漏区对应连接，所述源金属层上和所述漏金属层上具有介质层；金属层，在所述介质层上，且所述金属层至少投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面，在沿所述栅极结构的延伸方向上，所述金属层投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面，且在沿垂直于所述栅极结构的延伸方向上，所述金属层投影到全部源金属层和全部漏金属层的顶部表面。
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