[发明专利]衬底处理装置以及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201610158951.0 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106960806A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 芦原洋司 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。本发明提供能够在具有多个腔室的装置中实现高温处理的技术。包括腔室，在其内侧对衬底进行处理；气体供给部，其向腔室交替地供给第一气体和第二气体；第一排气配管，其对第一气体和第二气体进行排气；加热器，其设于第一排气配管，将上述第一排气配管加热到比第一气体在蒸气压下成为气体的温度高的温度；处理模块，其相邻地设有多个腔室；电子设备系统，其以与收纳第一排气配管的一部分的气体箱相邻的方式配置，按每个腔室设置；和热量降低构造，其以将设于相邻的腔室的多个第一排气配管包围的方式设置，降低从加热器对电子设备系统的热影响。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，包括：腔室，在其内侧对衬底进行处理；气体供给部，其向所述腔室交替地供给第一气体和第二气体；第一排气配管，其对所述第一气体和所述第二气体进行排气；加热器，其设于所述第一排气配管，将所述第一排气配管加热到比所述第一气体的原料在蒸气压下成为气体的温度高的温度；处理模块，其相邻地设有多个所述腔室；电子设备系统，其以与收纳所述第一排气配管的一部分的气体箱相邻的方式配置，按每个所述腔室设置；和热量降低构造，其以将设于相邻的所述腔室的多个所述第一排气配管包围的方式设置，降低从所述加热器对所述电子设备系统的热影响。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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