[发明专利]纳米线半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610150107.3 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107204311A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/16;H01L29/201;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明提供的纳米线半导体器件及其制造方法中，通过在PMOS有源区和NMOS有源区上分别形成高空穴迁移率的第一纳米线和高电子迁移率的第二纳米线，从而提高纳米线半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包括NMOS有源区和PMOS有源区；进行第一次选择性外延生长工艺，以在所述NMOS有源区中形成多边形结构的第一纳米线；进行第二次选择性外延生长工艺，以在所述PMOS有源区中形成多边形结构的第二纳米线；通过刻蚀工艺去除部分基底，使得所述第一纳米线悬空于所述基底的上方；对所述第一纳米线进行氧化退火处理；以及在所述基底、第一纳米线和第二纳米线上依次形成栅介质层和栅电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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