[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的基底；在第一区域的基底中形成阱区；在第二区域的基底中形成漂移区；刻蚀基底，形成衬底以及凸出于衬底的鳍部，包括位于第一区域和第二区域交界处的第一鳍部，以及位于第二区域的第二鳍部，其中，位于第一区域的第一鳍部为第一鳍部第一部分，第二鳍部与第一鳍部垂直；在第一鳍部表面形成位于第一区域和第二区域交界处的栅极结构；在第一鳍部第一部分内形成源极、第二鳍部内形成漏极。本发明使用于形成漏极的第二鳍部与用于形成源极相垂直，器件导通时电流流经第二鳍部的横截面面积增大，从而加快电流流出的速度，增强释放静电的能力，进而优化半导体器件的电学性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域；/n在所述第一区域的基底中形成阱区，所述阱区内具有掺杂离子；/n在所述第二区域的基底中形成漂移区，所述漂移区内具有掺杂离子，且所述漂移区内的掺杂离子类型与所述阱区内的掺杂离子类型不同；/n刻蚀所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部包括位于所述第一区域和第二区域交界处的第一鳍部，以及位于所述第二区域的第二鳍部，其中，所述第一鳍部从所述第一区域延伸至所述第二区域，位于所述第一区域的第一鳍部为第一鳍部第一部分，位于所述第二区域的第一鳍部为第一鳍部第二部分，所述第二鳍部与所述第一鳍部垂直；/n形成位于所述第一区域和第二区域交界处的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述第一鳍部第一部分的部分顶部表面，以及所述第一鳍部第二部分的部分顶部表面和部分侧壁表面；/n在所述栅极结构一侧的第一鳍部第一部分内形成源极，在所述栅极结构另一侧的第二鳍部内形成漏极，所述源极和漏极内具有掺杂离子，且所述源极和漏极内的掺杂离子与所述漂移区内的掺杂离子类型相同。/n