[发明专利]一种双源溅射合金薄膜的装置及方法有效

专利信息
申请号: 201610103435.8 申请日: 2016-02-25
公开(公告)号: CN105714258B 公开(公告)日: 2019-02-12
发明(设计)人: 刁东风;王超 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/46
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种双源溅射合金薄膜的装置及方法。装置其包括一腔体、设置在腔体内并用于固定衬底材料的基片、连通于腔体的导波管以及磁控阴极溅射装置,在所述导波管末端设置有等离子体引出部位,所述等离子引出部位连接作为第一溅射源的圆筒靶材,所述磁控阴极溅射装置包括作为第二溅射源的磁控阴极靶材,所述磁控阴极靶材通过磁控阴极连接石英窗,所述基片两侧设置有磁线圈。本发明中,ECR发散等离子体和磁控阴极等离子体相互独立设计,实现双源溅射。通过安装不同溅射靶材可以控制合金薄膜的组成元素,通过调节圆筒靶偏压和磁控管阴极的功率可以控制合金膜和掺杂膜的组成比例。
搜索关键词: 磁控阴极 等离子体 合金薄膜 靶材 溅射 双源 溅射装置 导波管 溅射源 磁控管阴极 衬底材料 独立设计 溅射靶材 两侧设置 组成元素 等离子 磁线圈 合金膜 石英窗 发散 腔体 连通 掺杂 体内
【主权项】:
1.一种ECR等离子体‑磁控阴极双源溅射合金薄膜的装置,其特征在于,包括一腔体、设置在腔体内并用于固定衬底材料的基片、连通于腔体的导波管以及磁控阴极溅射装置,在所述导波管末端设置有等离子体引出部位,所述等离子引出部位连接作为第一溅射源的圆筒靶材,所述磁控阴极溅射装置包括作为第二溅射源的磁控阴极靶材,所述等离子引出部位两侧设置有磁线圈;作为第二溅射源的磁控阴极靶材安装在腔体一侧;所述第二溅射源的照射方向与第一溅射源的照射方向所成夹角为45度;所述磁控阴极靶材安装在真空腔体一侧的凸起内。
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