[发明专利]在{110}＜100＞取向的衬底上的基于半导体的大面积的柔性电子器件在审
| 申请号： | 201610087674.9 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106653822A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 阿米特·戈亚尔 | 申请（专利权）人： | 阿米特·戈亚尔 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/12;H01L29/20;H01L31/0392;H01L21/02;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 张瑞,郑霞 |
| 地址： | 美国田*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明申请涉及在{110}<100>取向的衬底上的基于半导体的大面积的柔性电子器件。本文公开了新型制品和制造新型制品的方法，得到柔性的、{110}<100>或45°旋转的{110}<100>取向的、基于半导体的电子器件。所得到的制品在光伏器件、平板显示器、热光伏器件、铁电器件、发光二极管器件、计算机硬盘驱动器器件、基于磁阻的器件、基于光致发光的器件、非易失性存储器器件、介电器件、热电器件和量子点激光器件的领域中有潜在的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 110 100 取向 衬底 基于 半导体 大面积 柔性 电子器件 | ||
【主权项】：
一种多晶电子器件，包括：a.柔性的、退火的、多晶粒的金属或合金衬底，其具有相应于{110}<100>的一次再结晶织构或二次再结晶织构，具有小于10度的织构的镶嵌或锐利度；b.在所述衬底上的至少一个外延的多晶半导体器件层，所述半导体器件层具有相应于单取向的晶体织构。
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