[发明专利]具有高集成度的半导体器件

摘要

本公开可以提供一种具有稳定结构和低制造难度的半导体器件。该器件可以包括：交替地层叠的导电层和绝缘层；穿过导电层和绝缘层的多个柱体；以及多个沉积禁止图案，每个沉积禁止图案沿每个柱体的侧壁与每个导电层之间的界面的一部分以及沿每个绝缘层与每个导电层之间的界面的一部分形成。

主权项

一种半导体器件，包括：第一缝隙绝缘层和第二缝隙绝缘层，每个缝隙绝缘层沿第一方向延伸；层叠结构，层叠结构包括交替地层叠的导电层和绝缘层，且被设置在第一缝隙绝缘层与第二缝隙绝缘层之间，其中，层叠结构包括第一区、第二区和第三区，其中，第一区接触第一缝隙绝缘层，其中，第二区接触第二缝隙绝缘层，其中，第三区被限定在第一区与第二区之间；多个第一柱体，所述多个第一柱体沿第一方向布置，每个第一柱体穿过层叠结构的第一区；多个第二柱体，所述多个第二柱体沿第一方向布置，每个第二柱体穿过层叠结构的第二区；以及多个第一沉积禁止图案，每个第一沉积禁止图案设置在第一区中的导电层中的每个与绝缘层中的每个之间，每个第一沉积禁止图案围绕所述多个第一柱体中的每个的侧壁的至少一部分。