[发明专利]碳化硅器件中的Trench MOSFET的栅氧化加工方法在审
| 申请号： | 201610018524.2 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105513962A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊;胡建国;周雯 | 申请（专利权）人： | 上海晶亮电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/336;H01L21/205;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200233 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅器件中的Trench MOSFET的栅氧化加工方法，其包括：步骤1：在N型低掺杂外延碳化硅的表面进行退火；步骤2：在所述的退火产物的表面植入含硅CVD膜的步骤；步骤3：对含硅CVD膜进行热处理，完成氧化过程。本发明的工艺处理非常新颖，本发明的方法既改善了SiC/SiO2界面态，又提高了热氧化的生长速率并得到了控制Trench MOSFET阈值的高质量介质-栅氧化层；本发明的方法简便易行，便于进行大规模的商业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 中的 trench mosfet 氧化 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅器件中的Trench MOSFET的栅氧化加工方法，其特征在于，包括：步骤1：在N型低掺杂外延碳化硅的表面进行退火处理；步骤2：在N型低掺杂外延碳化硅的表面植入含硅CVD膜；步骤3：对含硅CVD膜进行热处理，完成氧化过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
