[发明专利]具有中介层的半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201610009648.4 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN106057788A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 金钟薰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/532;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 具有中介层的半导体封装及其制造方法。一种半导体封装可包括第一半导体芯片、被设置为与第一半导体芯片的一部分交叠并且通过第一联接结构连接到第一半导体芯片的第二半导体芯片。该半导体封装可包括中介层，该中介层被设置为与第一半导体芯片的另一部分交叠并且可通过第二联接结构连接到第一半导体芯片。中介层的第一表面可面向第一半导体芯片，并且中介层可包括从第一表面上的第二联接结构延伸到中介层的与第一表面相对的第二表面的第二内部互连器。外部互连器可被设置在中介层的第二表面上并且连接到第二内部互连器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 中介 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，该半导体封装包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，该第二半导体芯片被设置为与所述第一半导体芯片的一部分交叠并且通过第一联接结构连接到所述第一半导体芯片；中介层，该中介层被设置为与所述第一半导体芯片的另一部分交叠并且通过第二联接结构连接到所述第一半导体芯片，其中，所述中介层的第一表面面向所述第一半导体芯片，并且所述中介层包括从所述第一表面上的所述第二联接结构延伸到所述中介层的与所述第一表面相对的第二表面的内部互连器；以及外部互连器，所述外部互连器被设置在所述中介层的所述第二表面上并且连接到所述内部互连器。
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