[发明专利]获得绝缘层厚度的方法以及晶圆级键合封装方法有效

申请号：	201610006695.3	申请日：	2016-01-06
公开（公告）号：	CN106952837B	公开（公告）日：	2019-12-31
发明（设计）人：	王爱兵;高长城;王奇峰	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;H01L21/48
代理公司：	11227 北京集佳知识产权代理有限公司	代理人：	高静;吴敏
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	一种获得绝缘层厚度的方法以及晶圆级键合封装方法，获得绝缘层厚度的方法包括：提供待键合晶圆；在待键合晶圆上形成连接金属层；形成覆盖连接金属层和待键合晶圆表面的绝缘层；在绝缘层中形成贯穿绝缘层的键合层；测量待键合晶圆的翘曲度；重复以上步骤，在若干待键合晶圆上分别形成不同厚度的绝缘层并分别测量翘曲度；通过多个绝缘层厚度以及相对应的翘曲度进行拟合，获得翘曲度归一化线性表达式；根据线性表达式获得与翘曲度目标值对应的绝缘层厚度值。本发明通过多个绝缘层厚度以及相对应的翘曲度进行拟合，获得翘曲度归一化线性表达式，从而可以根据线性表达式获得与翘曲度目标值对应的绝缘层厚度值，使待键合晶圆的翘曲度为零或接近零。
搜索关键词：	获得绝缘厚度方法以及晶圆级键合封装
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【主权项】：

1.一种获得绝缘层厚度的方法，其特征在于，所述方法包括：/n步骤1：提供待键合晶圆；/n步骤2：在所述待键合晶圆上形成连接金属层；/n步骤3：在所述连接金属层上形成覆盖所述连接金属层和待键合晶圆表面的绝缘层；/n步骤4：在所述绝缘层中形成键合层，所述键合层贯穿所述绝缘层且与所述连接金属层相接触；/n步骤5：测量所述待键合晶圆的翘曲度；/n重复步骤1至步骤5，在若干待键合晶圆上分别形成不同厚度的绝缘层并分别测量与所述不同厚度绝缘层对应的待键合晶圆翘曲度；/n通过多个绝缘层厚度以及与绝缘层厚度相对应的待键合晶圆翘曲度进行拟合，获得翘曲度归一化线性表达式，所述翘曲度归一化线性表达式中的自变量为绝缘层厚度，因变量为翘曲度；/n根据所述翘曲度归一化线性表达式获得与翘曲度目标值对应的绝缘层厚度值。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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