[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580080357.8 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107615463B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 中田洋辅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/304;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有下述工序：准备半导体基板的工序(S01)，该半导体基板具有第1主面和位于第1主面的相反侧的第2主面；在第1主面之上形成第1电极的工序(S02)；在第1电极之上形成焊料接合用金属膜(第1焊料接合用金属膜)的工序(S03)；在第1焊料接合用金属膜之上形成牺牲膜的工序(S04)；在形成牺牲膜之后对第2主面进行磨削的工序(S06)；在进行磨削的工序(S06)之后进行热处理的工序(在第3主面侧形成元件构造的工序(S07))；在进行热处理的工序(S07)之后将牺牲膜去除的工序(S10)；以及将第1焊料接合用金属膜与第1外部电极进行焊料接合的工序(S12)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其具有下述工序：准备半导体基板的工序，该半导体基板具有第1主面和位于所述第1主面的相反侧的第2主面；在所述第1主面之上形成第1电极的工序；在所述第1电极之上形成焊料接合用金属膜的工序；在所述焊料接合用金属膜之上形成牺牲膜的工序；在形成所述牺牲膜之后对所述第2主面进行磨削的工序；在所述进行磨削的工序之后进行热处理的工序；在所述进行热处理的工序之后将所述牺牲膜去除的工序；以及将所述焊料接合用金属膜与外部电极进行焊料接合的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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