[发明专利]鳍式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201580068291.0 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN107112352B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 金相亿;金九焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/66;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体衬底，该半导体衬底中形成有隔离区；以及鳍状半导体结构，该鳍状半导体结构竖直地突出到隔离区之上并沿第一方向横向地延伸。另外，该器件包括包覆鳍状半导体结构的沟道区的栅极电介质和包覆栅极电介质的栅电极。沟道区沿第一方向介于源极区与漏极区之间，并且具有倾斜的侧壁和从沟道区的基部朝向顶部连续地减小的宽度。沟道区包括体积反转区，该体积反转区具有大于沟道区的总高度的约25％的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有隔离区；鳍状半导体结构，所述鳍状半导体结构竖直地突出到所述隔离区之上并沿第一方向横向地延伸；以及包覆所述鳍状半导体结构的沟道区的栅极电介质以及包覆所述栅极电介质的栅电极，所述沟道区沿所述第一方向介于源极区与漏极区之间，其中，所述沟道区具有倾斜的侧壁，并且所述沟道区具有从所述沟道区的基部朝向顶部连续地减小的宽度，并且其中，所述沟道区包括体积反转区，所述体积反转区具有在约3nm至约4nm之间的最小宽度和在约4nm至约8nm之间的最大宽度，所述体积反转区还具有大于所述沟道区的总高度的约25％的高度。
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