[发明专利]半导体发光元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201580048716.1 申请日: 2015-09-14
公开(公告)号: CN106688115B 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 全水根;白承昊;李多来;金奉焕;郑东昭 申请(专利权)人: 世迈克琉明有限公司
主分类号: H01L33/52 分类号: H01L33/52;H01L21/68
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;金玲
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 本公开涉及半导体发光元件的制造方法(METHOD OF MANUFACTURING S EMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE),其特征在于,该制造方法包括:在基底上配置形成有多个开口的掩模的步骤;使用识别掩模的形状而校正要放置元件的位置的元件移送装置,在通过各个开口而露出的基底上放置半导体发光芯片(semi conductor light emitting chip)的步骤;以及将掩模作为围堰(dam)向各个开口供给密封材料的步骤。
搜索关键词: 半导体 发光 元件 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体发光元件的制造方法,其特征在于,该制造方法包括:在基底上配置形成有多个开口的掩模的步骤;使用元件移送装置,在通过各个开口而露出的基底上放置半导体发光芯片的步骤,其中该元件移送装置识别掩模的形状而校正要放置元件的位置;以及以掩模为围堰向各个开口供给密封材料的步骤。
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