[发明专利]半导体发光装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体发光装置的制造方法，其包括：在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使该被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖该半导体发光元件的表面的密封部的工序；该硅酮树脂组合物相对于该硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量％以上的、构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂；该热固化在如下的条件下进行，即，在将热固化前的该硅酮树脂的1000～1050cm^‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm^‑1、将热固化后的该硅酮树脂组合物的950～1050cm^‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm^‑1时，满足5＜a‑b＜20。

主权项

1.一种半导体发光装置的制造方法，其包括：在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使在所述工序中被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖所述半导体发光元件的表面的密封部的工序；所述硅酮树脂组合物相对于所述硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量％以上的树脂A；相对于构成所述树脂A的重复单元的总摩尔数，所述树脂A含有95摩尔％以上的选自(1)R¹为烷基的下述重复单元A3、(2)下述重复单元A2中R¹为烷基、R²为烷氧基或羟基的重复单元、以及(3)下述重复单元A1中R¹为烷基、R²为烷氧基或羟基的重复单元中的至少1个重复单元，所述热固化在如下的条件下进行，即，在将热固化前的所述硅酮树脂的来自1000～1050cm^－1处的Si－O－Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm^－1、将热固化后的所述硅酮树脂组合物的来自950～1050cm^－1处的Si－O－Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm^－1时，满足5＜a－b＜20。