[发明专利]氮化铌薄膜的制备方法、SQUID器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201511018443.4 申请日: 2015-12-29
公开(公告)号: CN105449094B 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 刘全胜;王会武;张栖瑜;应利良;王镇 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L39/12 分类号: H01L39/12;H01L39/22;H01L39/24
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种氮化铌薄膜的制备方法、SQUID器件及其制备方法,包括:在衬底上采用磁控溅射方式依次外延生长第一氮化铌材料层、第一绝缘材料层、第二氮化铌材料层的三层薄膜结构;通过刻蚀形成底电极图形;形成约瑟夫森结;沉积第二绝缘材料层;制备旁路电阻;沉积第三氮化铌材料层,并形成顶电极。该SQUID器件包括:衬底,制备于所述衬底上的超导环,制备于所述衬底上并嵌于所述超导环的环路上的约瑟夫森结,所述约瑟夫森结包括底电极、绝缘材料层和对电极。本发明提供一种制备高质量氮化铌薄膜的方法,并在此基础上制备出基于氮化铌/氮化铝/氮化铌约瑟夫森结的SQUID器件,使得SQUID器件可以在高于4.2K的温度下工作,降低了超导SQUID器件的制冷成本。
搜索关键词: 氮化 薄膜 制备 方法 squid 器件 及其
【主权项】:
1.一种氮化铌薄膜的制备方法,其特征在于,所述氮化铌薄膜的制备方法至少包括:提供一(200)晶向的氧化镁衬底,在所述衬底上采用直流磁控溅射的方式外延生长氮化铌薄膜,其中,所述氮化铌薄膜的制备条件如下:压强为0.25pa、电流为2.2A~5.5A、氩气和氮气成分比为30:4~30:8。
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说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

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