[发明专利]氮化铝基石墨烯TES超导器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201810733474.5 申请日: 2018-07-06
公开(公告)号: CN108899412A 公开(公告)日: 2018-11-27
发明(设计)人: 胡海涛 申请(专利权)人: 江苏心磁超导体有限公司
主分类号: H01L39/12 分类号: H01L39/12;H01L39/24;G01J5/20
代理公司: 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 代理人: 王占华
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种氮化铝基石墨烯TES超导器件及其制作方法,涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在氮化铝衬底层上转移一层CVD生长的单层石墨烯作为热沉基板,在石墨烯上制作超导薄膜,实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单,与现有TES器件工艺兼容;采用氮化铝作为衬底,其散热系数优于原来的硅基方案;采用CVD生长的二维高散热率石墨烯材料作为声子耦合材料,热耦合系数更高,因此所述TES器件的有效恢复时间更短,响应速率更高。
搜索关键词: 石墨烯 超导器件 氮化铝基 氮化铝 制作 器件技术领域 单层石墨烯 石墨烯材料 超导薄膜 器件工艺 热沉基板 散热系数 声子耦合 太赫兹波 制作工艺 衬底层 高散热 热耦合 衬底 二维 硅基 兼容 探测 响应 恢复
【主权项】:
1.一种氮化铝基石墨烯TES超导器件,其特征在于:包括氮化铝衬底层(1),所述氮化铝衬底层(1)的上侧设置有石墨烯层(2),所述石墨烯层(2)的上侧设置有超导薄膜层(3)。
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