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[发明专利]形成用于制造图案化结构的遮蔽壁的方法-CN202080100066.1在审
发明人： J·P·H·荣格;R·L·M·奥普·海特·维尔德 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种方法，包括：在衬底(11)上方形成第一掩模；通过选择性区域生长在第一掩模的开口中形成一个或多个遮蔽壁(18)；在衬底和遮蔽壁上方形成第二掩模(14)；通过选择性区域生长在第二掩模的开口中形成第二材料(16)；通过角度沉积在衬底、遮蔽壁和第二材料的部分上方沉积一层沉积材料(17)，由此被遮蔽壁所遮蔽的区域保持不被涂覆。在实施例中，第二材料可以是半导体并且沉积材料可以是超导体，并且该方法可用以形成用于引发马约拉纳零能模的一个或多个半导体‑超导体纳米线，以作为量子计算设备的一部分。
形成用于制造图案结构遮蔽方法

[发明专利]高温超导体场线圈-CN202180032673.3在审
发明人：格雷格·布里特斯;托尼·兰特里;罗德·贝特曼;罗伯特·斯莱德;巴斯·范尼格特伦 -专利权人：托卡马克能量有限公司
申请日： 2021-05-04 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种用一个或多个HTS条带制造高温超导体HTS场线圈的方法。每个HTS条带包括HTS材料层。所述方法包括：围绕轴线缠绕所述一个或多个HTS条带以形成包括HTS条带的绕组的场线圈；和围绕所述绕组中的一个或多个绕组的至少一部分从所述HTS条带中的一个或多个HTS条带的轴向边缘去除材料，以减小所述一个或多个HTS条带沿所述场线圈的所述轴线的范围。
高温超导体线圈

[发明专利]多超导材料层的制备方法及量子器件-CN202211215561.4在审
发明人：高然;邓纯青 -专利权人：阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多超导材料层的制备方法及量子器件。其中，该方法包括：在衬底上沉积由第一目标区域范围的第一硬掩膜覆盖第一目标区域范围的第一超导材料的第一超导材料层；在沉积有第一超导材料层的衬底上沉积第二超导材料；将第二硬掩膜覆盖在第二超导材料上；对第二硬掩膜和第二超导材料进行刻蚀处理，得到由第二目标区域范围的第二硬掩膜覆盖第二目标区域范围的第二超导材料的第二超导材料层。本发明解决了难以在同一衬底上集成多种超导材料的技术问题。
超导材料制备方法量子器件

[发明专利]一种铝基超导电路中叠层刻蚀的侧壁陡直性实现方法-CN202211121005.0有效
发明人：崔志远;熊康林;冯加贵;郭丰 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供一种铝基超导电路中叠层刻蚀的侧壁陡直性实现方法，包括以下步骤：（1）光刻胶图形化；（2）刻蚀开口暴露的铝金属层，开口暴露出介质层；（3）采用原子层沉积法在光刻胶层上表面、开口侧壁以及开口底面上沉积氧化硅层；（4）刻蚀步骤（3）中光刻胶层上表面以及开口底面上的氧化硅层；（5）刻蚀开口侧壁的氧化硅层以及开口暴露的介质层；（6）依次循环重复步骤（3）、步骤（4）、步骤（2）、步骤（5），直至将开口暴露的铝金属层和介质层均刻蚀掉，暴露出衬底，最后去除光刻胶层。采用本发明的方法，可以解决铝基超导电路中金属和非金属叠层刻蚀出现的台阶问题，实现侧壁陡直性。
一种超导电路中叠层刻蚀侧壁陡直实现方法

[发明专利]一种约瑟夫森结器件及其制备方法-CN202211192423.9在审
发明人：钟青;王雪深;李劲劲;王仕建;钟源;高鹤;徐达;陈建 -专利权人：合肥国家实验室;中国计量科学研究院
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种约瑟夫森结器件及其制备方法，包括：在衬底上依次形成第一膜层，第二膜层和第三膜层的叠层结构，第二膜层的材料包括铝和氧化铝，第一膜层和第三膜层的材料包括铌，刻蚀第三膜层，以便形成叠层结构的约瑟夫森结区，以叠层结构为阳极，以第一金属材料作为阴极，将叠层结构和第一金属材料放入氧化电解液，对第二膜层进行氧化，使用湿法腐蚀，去除部分第二膜层和第三膜层，形成约瑟夫森结器件，由此可见，本申请中利用氧化电解液对叠层结构进行氧化以形成氧化铝绝缘层，实时控制氧化过程，无需多次等离子体工艺，降低了约瑟夫森结中绝缘层在制备过程中被击穿的概率，避免约瑟夫森结短路，提高最终制备得到的量子器件的性能。
一种约瑟夫器件及其制备方法

[发明专利]一种平面约瑟夫森结的制备方法-CN202211032109.4在审
发明人：马雷;董刚;李睿;张凯敏;郝路珍 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明属于超导电子学器件制备技术领域，公开了一种平面约瑟夫森结的制备方法，先在绝缘衬底上制备低粗糙度的超导金属薄膜；然后在超导金属薄膜表面通过微纳米加工引入缺陷，使设计位置的电阻大于超导金属薄膜的电阻；搭建快速开关电路，将快速开关电路连接到超导金属薄膜的缺陷两侧；通过控制快速开关电路的输出信号对超导金属薄膜进行电迁移处理；使超导金属薄膜在缺陷位置处断开，且断开的宽度小于超导金属薄膜的超导相干长度，从而实现平面约瑟夫森结的可控制备。本发明工艺流程简单，不需要复杂和高精度设备，同时能够保证制备器件的均匀性，并且可以通过改变电路结构的方式实现多个器件的同时制备，适用于多器件超导电路的加工生产。
一种平面约瑟夫制备方法

[发明专利]一种超导量子约瑟夫森结及其制备方法-CN202211071631.3在审
发明人：郑伟文 -专利权人：量子科技长三角产业创新中心
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种涉及量子芯片领域，特别是一种超导量子约瑟夫森结及其制备方法，通过在衬底上设置第一超导金属层；对所述第一超导金属层图形化，得到超导金属图形；在所述超导金属图形表面设置第一绝缘层；所述第一绝缘层覆盖所述超导金属图形的目标侧壁；在设置过所述第一绝缘层的衬底设置第二超导金属层；去除所述超导金属图形上方的第二超导金属层，得到约瑟夫森结前置物；在所述约瑟夫森结前置物的表面设置第二绝缘层，所述第二绝缘层将所述第二超导金属层覆盖，得到约瑟夫森结。本发明使原本由光刻线宽决定的约瑟夫森结精度转变为厚度决定，突破了设备的限制，降低了对设备的要求，降低了生产成本，增加了制备方法的泛用性。
一种超导量子约瑟夫及其制备方法

[发明专利]约瑟夫森结制备装置、方法及约瑟夫森结-CN202210879939.4在审
发明人：黄自强;王晨;徐敏;徐赛生;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种约瑟夫森结制备装置、方法及约瑟夫森结。该装置包括输送单元、第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元，通过第一沉积单元和第二沉积单元制备约瑟夫森结，通过光刻单元和刻蚀单元对约瑟夫森结进行图形化。本发明的约瑟夫森结制备装置通过真空通道对第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元进行连通，通过第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元分别设置于真空通道的不同侧面，通过输送单元对约瑟夫森结在四个加工单元内进行输送，能够极大的降低约瑟夫森结在制备和图形化过程中需要移动的距离，降低传递过程会对器件性能的影响，保证约瑟夫森结薄膜质量的一致性。
约瑟夫制备装置方法

[发明专利]基于飞秒激光的超导薄膜上制备微纳米收缩结构的方法-CN201780028615.7有效
发明人：维贾雅·斯里尼瓦苏·瓦拉巴普拉普;帕特里斯·尤明宁 -专利权人：南非大学
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种在YBCO薄膜上制备微纳米收缩型结构的方法，所述方法包括利用飞秒激光在薄膜上烧蚀预定图案，以及超导装置，所述超导体装置包括YBCO薄膜，在该YBCO薄膜上通过飞秒激光烧蚀预定图案。
基于激光超导薄膜制备纳米收缩结构方法

[发明专利]一种新型铌基约瑟夫森结的制备方法-CN202210531719.2在审
发明人：王华兵;黎晓杰;李丁丁;陈士县;孙汉聪;吕阳阳;吴培亨 -专利权人：南京大学;网络通信与安全紫金山实验室
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开一种新型铌基约瑟夫森结的制备方法，属于低温超导技术领域，制备方法主要包含以下过程：清洗基片；光刻定义底电极区域；制备Nb底电极；剥离；制备Al‑AlOx‑Al势垒层；生长Nb顶层电极；再次光刻，定义结区和顶电极区域；反应离子刻蚀和离子束刻蚀；去胶。本发明通过微加工技术、真空镀膜技术和刻蚀技术制备铌基约瑟夫森结，简化了工艺；采用两次光刻的工艺制备铌基约瑟夫森结，减少了器件在制备过程中界面退化的可能性，简化了制备铌基约瑟夫森结的工艺，避免了复杂的加工流程，有利于约瑟夫森结的大规模制造和应用。
一种新型约瑟夫制备方法

[发明专利]一种约瑟夫森结的制备方法-CN202210821961.3在审
发明人：单征;王卫龙;刘福东;穆清;孙回回;王立新;费洋扬;孟祥栋;何昊冉;袁本政;杨天;邱俊玲;李振宇;梁晨;张潮洁 -专利权人：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法。首先提供一半导体衬底，在半导体衬底表面形成第一导电图形层；对第一导电图形层进行部分刻蚀去除，得到第一方向导线条；将所得第一方向导线条进行表面预处理以及氧化；经表面预处理以及氧化后的第一方向导线条上，形成第二导电图形层，所述第二导电图形层覆盖半导体衬底和第一方向导线条的表面；然后对所得第二导电图形层进行部分刻蚀去除，得到第二方向导线条；所述第二方向导线条与第一方向导线条交叉，制备得到约瑟夫森结。通过本发明制备约瑟夫森结，能够避免转角度溅射，从而便于进行大规模量产；另外，均匀性相比现有工艺有了较大提升。
一种约瑟夫制备方法

[发明专利]用于化学气相沉积反应器的基座-CN202180015499.1在审
发明人： S·坎丹;A·伊格纳提夫;M·诺沃日洛夫;J·朱厄特 -专利权人：梅托克斯技术公司
申请日： 2021-02-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：沉积反应器(800)中使用的基座(200)提供热量输入并控制错误沉积的累积。基座加热反应器内的基板带(120)，基板带上沉积有一层或多层薄膜，特别是在金属有机化学气相淀积MOCVD反应器中产生的高温超导HTS薄膜。
用于化学沉积反应器基座

[发明专利]一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法-CN202210537121.4在审
发明人：王华兵;吴开轩;孙汉聪;杜洪梅;吕阳阳;吴培亨 -专利权人：南京大学;网络通信与安全紫金山实验室
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属掩膜的铌铝约瑟夫森结的制备方法，包括：金属掩膜遮挡部分衬底，沉积铝膜；铝膜氧化；磁控溅射沉积50nm铌膜；去除金属掩膜后，使用离子束刻蚀处理铌膜表面，露出其新的表面后，再次沉积160nm铌膜；光刻或电子束曝光显影确定结区和上电极图形；使用反应离子刻蚀即得到结区，然后在有机溶剂中去除光刻胶即可。该法采用金属掩膜、铌膜保护的方法制备约瑟夫森结，大大简化了超导量子电路中制备约瑟夫森结的工艺，突破了传统工艺制备约瑟夫森结时尺寸的限制，有效降低了有机试剂、水和空气对铝膜表面氧化势垒层的影响，有效提高了制备约瑟夫森结的成功率和可靠性。
一种基于金属约瑟夫制备方法

[发明专利]一种高温超导约瑟夫森结的制备方法-CN202210922281.0在审
发明人：季鲁;李天赐;梁雪连;郭蓉;赵海廷;何明 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明涉及超导电子技术领域，尤其涉及一种高温超导约瑟夫森结的制备方法。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：在衬底的表面制备Tl2Ba2CaCu2O8高温超导先驱膜后进行退火，得到斜切Tl2Ba2CaCu2O8高温超导薄膜；所述斜切Tl2Ba2CaCu2O8高温超导薄膜的c轴倾斜于所述衬底的表面；在所述斜切Tl2Ba2CaCu2O8高温超导薄膜的表面依次制备金镀层和光刻正胶；将所述光刻正胶依次进行光刻和去除光刻正胶后，进行聚焦离子束处理，得到所述高温超导约瑟夫森结。所述制备方法可以克服台阶结制备存在的成结率低和一致性差问题，可以高效且稳定的制备出一致性高的高温超导约瑟夫森串联结。
一种高温超导约瑟夫制备方法

[发明专利]约瑟夫森结金属层镀膜方法-CN202210879903.6在审
发明人：黄自强;王晨;徐敏;徐赛生;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种约瑟夫森结金属层镀膜方法。该方法包括以下步骤：将待镀膜对象移动至工艺腔内；将工艺腔的温度调整至第一温度，对对象进行镀膜；将工艺腔的温度调整至第二温度，并在工艺腔内对对象进行退火，第二温度大于第一温度。本发明的约瑟夫森结金属层镀膜方法通过在第一温度的环境下对对象进行金属层的沉积镀膜，同时通过比第一温度高的第二温度、并在进行沉积的工艺腔内对沉积后的对象进行退火，即对对象进行原位退火，无需移动对象的位置，能够抑制丘状结构的形成和减少球状结构的体积，且能够改善形成的薄膜表面的纹理结构，降低薄膜的方块电阻，达到提升均匀度、降低粗糙度的目的。
约瑟夫金属镀膜方法

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