[发明专利]一种具有高磁通钉扎性能YBCO薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510408849.7 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN105140385B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 雷黎;王秀婷;赵高扬;刘露 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L39/12 | 分类号： | H01L39/12;C04B35/50;C04B35/45;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高磁通钉扎性能YBCO薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：在铝酸镧单晶衬底上制备金属氧化物的凝胶膜，将凝胶膜进行干燥处理；将得到的凝胶膜通过特定图形的掩模进行紫外线曝光，再经溶剂洗涤和热处理，制得结晶化的金属氧化物微细图形；制备YBCO凝胶膜，再经热处理和退火处理，制得具有高磁通钉扎性能的YBCO薄膜。本发明利用晶格失配在YBCO基体中诱导形成高密度的纳米级尺寸的晶体缺陷，作为人工钉扎中心，显著增强YBCO薄膜的磁通钉扎性能，提高磁场下YBCO薄膜的临界电流密度，适合大规模工业化生产，为制备高性能钇系或稀土系钡铜氧涂层导体提供一种新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 凝胶膜 钉扎性能 高磁通 制备 热处理 大规模工业化生产 制备金属氧化物 金属氧化物 制备高性能 紫外线曝光 步骤实施 磁通钉扎 干燥处理 晶格失配 晶体缺陷 溶剂洗涤 涂层导体 退火处理 微细图形 钡铜氧 结晶化 铝酸镧 纳米级 稀土系 衬底 单晶 钉扎 掩模 钇系 磁场 诱导 | ||
【主权项】：
1.一种具有高磁通钉扎性能YBCO薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，在铝酸镧单晶衬底上制备金属氧化物的凝胶膜，将凝胶膜进行干燥处理，其中，所述金属氧化物为BaxSr1‑xTiO3(BST)、Pb(Zr1‑xTix)O3(PZT)、Y0.2Zr0.8O1.9(YSZ)、BaZrO3(BZO)或BaTiO3(BTO)；步骤2，将步骤1得到的凝胶膜通过特定图形的掩模进行紫外线曝光，再经溶剂洗涤和热处理，制得结晶化的金属氧化物微细图形，具体实施步骤为：步骤2.1、将步骤1得到的凝胶膜通过特定图形的掩模经波长为320～380nm的紫外线曝光600～1800s；步骤2.2、将经步骤2.1处理的凝胶膜在有机溶剂中洗涤10～20s，得到相应凝胶膜的微细图形；步骤2.3、将经步骤2.2处理的凝胶膜在800～900℃条件下热处理1～2h，制得结晶化的金属氧化物微细图形；步骤3，制备YBCO凝胶膜，再经热处理和退火处理，制得高磁通钉扎性能YBCO薄膜。
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