[发明专利]半导体装置以及制造鳍式场效晶体管装置的方法有效

申请号：	201510843277.5	申请日：	2015-11-26
公开（公告）号：	CN106504990B	公开（公告）日：	2019-11-15
发明（设计）人：	江宏礼;彭成毅;许志成;杨育佳	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/78
代理公司：	11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人：	徐金国<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	中国台湾;TW
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摘要：	一种半导体装置及制造鳍式场效晶体管装置的方法，该方法包含形成从隔离绝缘层伸出的第一与第二鳍结构；在第一与第二鳍结构上方形成栅极结构，每一第一与第二鳍结构具有在栅极结构外且具有第一宽度的源极/漏极区；移除源极/漏极区的侧壁的部分以形成经修整的源极/漏极区，每一经修整的源极/漏极区具有小于第一宽度的第二宽度；在经修整的源极/漏极区上方形成应变材料，使形成在第一鳍结构上的应变材料与第二鳍结构上的应变材料分隔；在栅极结构与源极/漏极区上方用应变材料形成层间介电层；以及在应变材料上形成接触层，使接触层环绕应变材料。经修整的源极/漏极区与应变材料的组合增大接触面积而减少鳍式场效晶体管装置中存在的寄生电容。
搜索关键词：	半导体装置以及制造鳍式场效晶体管方法
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【主权项】：

1.一种用于制造一鳍式场效晶体管装置的方法，其特征在于，该方法包含：/n在一基板上方提供一第一鳍结构与一第二鳍结构，该第一鳍结构和第二鳍结构从设置在该基板上方的一隔离绝缘层伸出且被一遮罩层覆盖；/n在该第一鳍结构与该第二鳍结构上方形成一栅极结构，该第一鳍结构与该第二鳍结构中的每一者具有在该栅极结构下方的一通道区域与在该栅极结构外部的多个源极/漏极区，该些源极/漏极区具有一第一宽度；/n移除该第一鳍结构与该第二鳍结构中的该些源极/漏极区的侧壁的部分，以形成经修整的源极/漏极区，该些经修整的源极/漏极区中的每一者具有小于该第一宽度的一第二宽度，在移除该些源极/漏极区的该些侧壁的该些部分时，该些源极/漏极区的上表面被该遮罩层的一部份覆盖；/n在该第一鳍结构与该第二鳍结构的该些经修整的源极/漏极区上方形成一应变材料，该应变材料被形成为使得形成在该第一鳍结构上的该应变材料是与形成在该第二鳍结构上的该应变材料分隔的；/n在该栅极结构与该些源极/漏极区以及该应变材料上方形成一层间介电层；以及/n在形成于该第一鳍结构与该第二鳍结构的该些源极/漏极区上的该应变材料上形成一接触层，以便该接触层环绕该些源极/漏极区上的该些应变材料。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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