[发明专利]组合两个衬底的方法有效
| 申请号： | 201510830557.2 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105655243B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | D·朗德吕;C·德拉热;F·富尔内尔;E·贝什 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司;原子能和能源替代品委员会 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种组合两个衬底的方法。一种通过分子附着力组合两个衬底(1，2)的方法包括：第一步骤(a)，将第一衬底(1)和第二衬底(2)紧密接触以形成具有组合界面(4)的组件(3)；第二步骤(b)，将组件(3)的附着度增强至超过附着阈值的，在所述阈值，水不再能够沿着组合界面进行扩散。根据本发明，所述方法还包括：在露点低于‑10℃的处理气氛下对第一衬底(1)和第二衬底(2)进行无水处理的步骤(c)；以及从无水处理步骤(c)直至第二步骤(b)结束，对第一衬底(1)和第二衬底(2)所暴露于的工作气氛的露点进行控制，从而限制或避免键合缺陷在组合界面处的出现。 | ||
| 搜索关键词： | 组合 两个 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种通过分子附着力组合两个衬底的方法，包括：‑第一步骤(a)，将第一衬底(1)和第二衬底(2)紧密接触以形成具有组合界面(4)的组件(3)；‑第二步骤(b)，将组件(3)的附着度增强至超过附着阈值，在所述阈值，水不再能够沿着组合界面(4)进行扩散；所述方法特征在于其包括：‑在露点低于‑10℃的处理气氛下，对第一衬底(1)和第二衬底(2)进行无水处理的步骤(c)；‑从无水处理步骤(c)直至第二步骤(b)结束，对第一衬底(1)和第二衬底(2)所暴露于的工作气氛的露点进行控制，从而限制或避免键合缺陷在组合界面处的出现。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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