[发明专利]半导体器件、其制造方法和成像装置

摘要

一种用于将入射光转换为电流的半导体器件包括半导体衬底；嵌入于半导体衬底中的电极；绝缘膜，接触在半导体衬底中的电极；在深度方向上从半导体衬底的正面一侧相继地形成的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的第二半导体区和第一导电类型的第三半导体区；和第二导电类型的第四半导体区，接触绝缘膜和第二半导体区。第四半导体区的杂质浓度大于第二半导体区的杂质浓度。

主权项

一种用于将入射光转换为电流的半导体器件，包括:半导体衬底；电极，嵌入于所述半导体衬底中；绝缘膜，接触所述半导体衬底中的电极；在深度方向上从所述半导体衬底的正面一侧相继地形成的第一导电类型的第一半导体区、第二导电类型的第二半导体区和所述第一导电类型的第三半导体区；以及所述第二导电类型的第四半导体区，接触所述绝缘膜和所述第二半导体区，所述第四半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的杂质浓度，其中所述第四半导体区的杂质浓度大于或等于所述第二半导体区的最大杂质浓度的10倍。