[发明专利]硼系膜的成膜方法和成膜装置在审
申请号: | 201910242435.X | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN110318034A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 渡部佳优;冈正浩;李金望;山本勇生;上田博一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/28 | 分类号: | C23C16/28;C23C16/38;C23C16/50;C23C16/52;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种硼系膜的成膜方法和成膜装置,能够得到具有适合作为硬掩膜的特性的硼系膜。一种硼系膜的成膜方法,用于在基板上形成以硼为主体的硼系膜,包括以下工序:第一工序,将基板搬入到成膜装置的腔室内,该成膜装置用于通过利用电容耦合等离子体的等离子体CVD来形成硼系膜;第二工序,向腔室内供给含有含硼气体的处理气体;第三工序,施加用于生成电容耦合等离子体的高频电力;以及第四工序,利用高频电力生成处理气体的等离子体,来在基板上形成硼系膜,其中,通过第三工序的高频电力的功率来调整硼系膜的膜应力。 | ||
搜索关键词: | 硼系 成膜装置 高频电力 成膜 基板 电容耦合等离子体 等离子体 等离子体CVD 室内 处理气体 含硼气体 生成处理 膜应力 硬掩膜 搬入 施加 | ||
【主权项】:
1.一种硼系膜的成膜方法,用于在基板上形成以硼为主体的硼系膜,所述硼系膜的成膜方法包括以下工序:第一工序,将基板搬入到成膜装置的腔室内,所述成膜装置用于通过利用电容耦合等离子体的等离子体化学气相沉积来形成硼系膜;第二工序,向所述腔室内供给含有含硼气体的处理气体;第三工序,施加用于生成电容耦合等离子体的高频电力;以及第四工序,利用所述高频电力生成所述处理气体的等离子体,来在基板上形成所述硼系膜,其中,通过所述第三工序的高频电力的功率来调整所述硼系膜的膜应力。
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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