[发明专利]MEMS器件和制造MEMS器件的方法有效
| 申请号： | 201510553886.7 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105384141B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | S.科尔布;A.迈泽;T.施勒泽;W.韦尔纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;王传道 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。一种用于制造MEMS器件的方法包括形成半导体层堆叠，该半导体层堆叠至少包括第一单晶半导体层、第二单晶半导体层和第三单晶半导体层，该第二单晶半导体层在第一和第三单晶半导体层之间形成。第二单晶半导体层的半导体材料与第一和第三单晶半导体层的半导体材料不同。在形成半导体层堆叠之后，第一和第三单晶半导体层中的每个的至少部分同时被刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造MEMS器件的方法，包括：形成半导体层堆叠，所述半导体层堆叠至少包括第一单晶半导体层、第二单晶半导体层和第三单晶半导体层，所述第二单晶半导体层在第一和第三单晶半导体层之间形成，其中所述第二单晶半导体层的半导体材料与第一和第三单晶半导体层的半导体材料不同；刻蚀所述第一、第二和第三单晶半导体层以形成从所述第三单晶半导体层延伸到所述第一单晶半导体层并在所述第一单晶半导体层内终止的通道；并且经由所述通道刻蚀第一和第三单晶半导体层中的每个的至少部分，以释放由所述第二单晶半导体层的部分形成的可移动MEMS元件以及形成所述第二单晶半导体层的不可移动部分。
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