[发明专利]双向开关有效
| 申请号： | 201510441193.9 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105304700B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | S·蒙纳德;D·阿利 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本申请涉及双向开关。在第一导电类型的半导体衬底中形成双向开关。该开关包括反并联地连接并且在衬底的正表面与背表面之间垂直地延伸的第一晶闸管和第二晶闸管。第二导电类型的垂直外围壁将正表面连接至背表面，并且围绕这些晶闸管。在正表面上，在衬底的将垂直外围壁与晶闸管分隔开的环形区域中，提供第一导电类型的第一区域，该第一区域具有大于衬底的掺杂水平的掺杂水平并且具有环形带的部分的形状，部分地围绕第一晶闸管，并且停止于在第一晶闸管和第二晶闸管之间的相邻区域的位置处。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 开关 | ||
【主权项】：
1.一种双向开关，包括：第一导电类型的半导体衬底，具有正表面和背表面，相邻的第一晶闸管和第二晶闸管，反并联地连接，在所述衬底的所述正表面与所述背表面之间垂直地延伸；第二导电类型的垂直外围壁，将所述半导体衬底的所述正表面连接至所述背表面，并且围绕相邻的所述第一晶闸管和所述第二晶闸管；以及所述第一导电类型的第一区域，具有大于所述半导体衬底的掺杂水平的掺杂水平，在所述正表面上，在所述衬底的将所述垂直外围壁与相邻的所述第一晶闸管和所述第二晶闸管分隔开的环形区域中，所述第一区域具有环形带的部分的形状，部分地围绕所述第一晶闸管，并且停止于在相邻的所述第一晶闸管和所述第二晶闸管之间的相邻区域处。
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