[发明专利]具有不同的局部单元几何形状的半导体切换器件

摘要

本发明涉及具有不同的局部单元几何形状的半导体切换器件。半导体器件包括半导体衬底，其具有外轮缘、限定有源区域的多个可切换单元以及布置在限定有源区域的可切换单元和外轮缘之间的边缘终止区。可切换单元中的每一个包括主体区、栅电极结构和源极区。源极金属化与可切换单元的源极区欧姆接触。栅极金属化与可切换单元的栅电极结构欧姆接触。由可切换单元限定的有源区域包括具有与第二可切换区的栅极‑漏极比电容不同的栅极‑漏极比电容的至少第一可切换区。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括外轮缘、限定有源区域的多个可切换单元以及布置在限定所述有源区域的所述可切换单元和所述外轮缘之间的边缘终止区，其中所述可切换单元中的每一个包括主体区、栅电极结构和源极区；与所述可切换单元的所述源极区欧姆接触的源极金属化；以及与所述可切换单元的所述栅电极结构欧姆接触的栅极金属化；其中由所述可切换单元限定的所述有源区域包括具有与第二可切换区的栅极‑漏极比电容不同的栅极‑漏极比电容的至少第一可切换区；以及其中在所述第一可切换区和所述第二可切换区中的所述可切换单元的栅极‑漏极比电容随着所述可切换单元与所述栅极金属化之间的距离增加而减小。