[发明专利]一种制造单晶铸件的熔化浇注方法有效
| 申请号： | 201510343232.1 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104878443B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 马德新;张琼元;王海洋;王海伟;陈学达;巩秀芳;杨照宏;杨功显 | 申请（专利权）人： | 东方电气集团东方汽轮机有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/52 |
| 代理公司： | 成都蓉信三星专利事务所(普通合伙)51106 | 代理人： | 刘克勤 |
| 地址： | 618000 四川省德阳*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种制造单晶铸件的合金熔化浇注方法，特征是在浇道中放置合金基材堵块，将浇道堵塞，直接将合金料放在模壳的浇口杯内，在真空定向凝固炉内熔化、充型和定向凝固。避免了在坩埚中熔化合金、经漏斗浇入模壳，简化了工艺步骤，也可简化真空定向凝固炉的构造，降低造价；同时避免了合金液将坩埚和漏斗中的杂质带入模壳，提高铸件质量，此外降低了合金液的浇注高度，减少了对模壳及模壳内陶瓷型芯的冲击。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 铸件 熔化 浇注 方法 | ||
【主权项】：
一种制造单晶铸件的合金熔化浇注方法，该方法包括步骤：（1）制备好陶瓷模壳，该模壳的型腔具有由上而下顺序布置的浇口杯、浇道、铸件型腔、选晶器，所述浇口杯配有陶瓷盖；（2）在浇道中放置高温合金基材堵块，将浇道堵塞；如果合金为镍基高温合金，则在浇道中放置纯镍块，如果合金为钴基高温合金，则在浇道中放置纯钴块；再将高温合金材料放入浇口杯内，然后扣上陶瓷盖；（3）将模壳移入真空定向凝固炉，升至炉内加热室加热，合金基材的熔点高于合金，所以合金先熔化并过热，当基材堵块熔化后，合金液流入铸件型腔，将其充满；（4）将模壳向下抽拉进入炉内冷却室，铸件从下向上定向凝固，凝固过程中，由选晶器选晶成为单晶结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东方电气集团东方汽轮机有限公司，未经东方电气集团东方汽轮机有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510343232.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种铸锭炉的排杂机构、铸锭炉-201920125904.5
- 毛伟;何亮;雷琦;徐云飞;周成 - 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
- 2019-01-24 - 2019-11-12 - C30B11/00
- 本实用新型提供了一种铸锭炉的排杂机构，包括坩埚、设于坩埚侧壁外的侧挡板、进气管、第一盖板、以及与第一盖板间隔设置的的第二盖板；坩埚和侧挡板形成一收容空间，第一盖板与侧挡板连接，侧挡板的高度大于坩埚侧壁的高度，且高于侧壁的侧挡板上开设有出气孔，第一盖板上设有进气孔，进气孔与进气管连接，第二盖板设于收容空间内，第二盖板包括排气区和阻挡区，排气区内设有多个排气孔，进气孔在坩埚底面的正投影位于阻挡区在坩埚底面的正投影内。通过在收容空间内设置第二盖板，可有效地避免惰性气体直接吹打在硅液的表面上，减少了硅锭表面的杂质。并且杂质气体可从排气孔排出，避免了杂质气体被反吹到硅液内。本实用新型还提供了一种铸锭炉。
- 一种降低单品硅热场坩埚使用损坏的方法-201910763844.4
- 郭志宏 - 大同新成新材料股份有限公司
- 2019-08-19 - 2019-11-05 - C30B11/00
- 本发明公开了一种降低单品硅热场坩埚使用损坏的方法，包括以下步骤：S1、制作坩埚本体；S2、在坩埚内的底部铺设石棉网；S3、称取硼酸和镁砂；S4、对镁砂进行磁选；S5、将硼酸、镁砂和水进行混合得到混合材料；S6、将混合材料铺设在坩埚内的底部；S7、烘干坩埚内底部的混合材料；S8、称取氮化硅粉；S9、对氮化硅粉进行烘烤并筛选。本发明具有良好的热导性和耐高温性，加热时热量会分散到坩埚底部的各个地方,长时间烧坩埚也不会爆裂，且在高温下有足够的机械强度，能够抵抗侵蚀，解决了炉壁上的保温层被破坏的问题，节省了装置维修更换所耗费的时间，有效的节省了维修的成本，延长了装置的使用寿命。
- 一种新型组合式Z型选晶器-201910847140.5
- 朱鑫涛;朱德本;刘杰;朱玉棠 - 泰州市金鹰精密铸造有限公司
- 2019-09-09 - 2019-11-01 - C30B11/00
- 本发明属于精密铸造应用技术领域，具体公开了一种新型组合式Z型选晶器，包括锥形碗状支撑块、第一起晶端定位凸柱、第二起晶端定位凸柱、第一选晶段、第二选晶段、第一过渡段和第二过渡段。本发明的有益效果在于：1、晶粒选晶段中成长的过程中可减小发生杂晶的几率，选晶段采用合适尺寸的直径，既保证选晶效率，又保证选晶段的强度，保证晶粒的顺利成型，选晶段采用了合理的起升角度，可以保证晶粒顺利成长的同时，也可以保证选晶段高度不会过高，从而提高了工作效率；2、两组相配合使用的起晶端、约束段、选晶段和过渡段且尺寸不同，提高了选晶器的制作效率且减小发生杂晶的几率，以及其为组合式结构，便于装配进行高效的选晶作业。
- 一种坩埚-201920083157.3
- 徐云飞;何亮;毛伟;周成 - 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
- 2019-01-17 - 2019-10-25 - C30B11/00
- 本实用新型提供了一种坩埚，用于单晶硅铸锭，包括坩埚本体，所述坩埚本体包括底座和由所述底座向上延伸的侧壁，所述底座和所述侧壁围成一收容空间，所述底座包括中间区域和包围所述中间区域的外围区域，所述外围区域的导热系数高于所述中间区域的导热系数。本实用新型提供的坩埚，在单晶硅铸锭过程中可以使得坩埚底座的中间区域和外围区域的温度一致，中间区域与外围区域的长晶速率一致，提高单晶硅质量和利用率。
- 一种氟化钙单晶加工用加热器-201822272706.X
- 徐超;刘晓阳;张钦辉 - 北京首量科技股份有限公司
- 2018-12-29 - 2019-10-15 - C30B11/00
- 本实用新型的实施方式公开了一种氟化钙单晶加工用加热器，包括石墨坩埚以及加热器组件，石墨坩埚夹设于至少2个加热器组件之间，加热器组件包括高温区加热器、低温区加热器，高温区加热器与低温区加热器由上向下层叠设置，且石墨坩埚的的底部设有用于放置籽晶的籽晶阱。本实用新型实施方式相对于现有技术而言，通过将石墨坩埚夹设于高温区加热器和低温区加热器组成的加热器组件之间，获得适合氟化钙单晶生长的梯度区，从而精确控制籽晶熔接及单晶生长，抑制不同取向晶核的结晶速率，从而实现大幅提高单晶的成品率，有效降低生产成本的目的。
- 一种设计高效选晶器的方法-201910560457.0
- 朱鑫涛;王富;朱德本;朱玉棠 - 泰州市金鹰精密铸造有限公司
- 2019-06-26 - 2019-10-08 - C30B11/00
- 本发明公开了一种设计高效选晶器的方法，属于选晶器开发领域，使用降维法对三维的螺旋选晶器在二维平面投影的视图进行分析优化，再投影相应的三维螺旋选晶器，重新设计的选晶器具有更高效的晶粒选择。本发明主要包括以下步骤：将螺旋选晶器的三维视觉投影成二维，得到2D视图C型和Z型；然后对得到的C型和Z型晶粒选晶器进行实验，获得优化的参数；最后结合二维模型的优化结果投影相应的三维螺旋选晶器。
- 一种反式注入合成连续VGF晶体生长坩埚及装置-201822102284.1
- 王书杰;孙聂枫;孙同年;刘惠生;史艳磊;邵会民;付莉杰;姜剑;张晓丹;李晓岚;王阳 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2018-12-14 - 2019-10-01 - C30B11/00
- 一种反式注入合成连续VGF晶体生长坩埚及装置，涉及半导体晶体制备与单晶生长的装置，具体涉及一种反式注入合成连续VGF法进行晶体生长装置。装置包括炉体、安装在炉体内的坩埚、保温系统、加热系统、温度控制系统及气压调节系统，所述坩埚上部为合成部、下部为晶体生长部和籽晶部，合成部与晶体生长部之间通过毛细孔连通。使用毛细孔，通过温度和压力控制，在材料合成阶段，磷气泡上升到铟熔体，可以使两种物质充分融合，磷气化完成后，铟磷熔体滴入生长部，完成晶体的原位生长。
- 一种降低闪烁单晶制备过程中石英管破损率的方法-201710932518.2
- 祁阳;谭俊 - 东北大学
- 2017-10-10 - 2019-09-24 - C30B11/00
- 本发明公开一种降低闪烁单晶制备过程中石英管破损率的方法，将石英管拉拔成上粗下细的异形石英管，并在内壁镀膜，外壁安装应变片，通过应变幅度的反馈控制单晶生长速度，预防石英管破损，待晶体形成后将异形石英管倒置，待冷却到室温后，取出闪烁晶体。本发明的优点：装入单晶原料前在异形石英管内壁镀膜，既可避免异形石英管和生成晶体之间的粘连，利于将生成晶体与异形石英管管体完全分离，又可避免石英管直接挤压晶体，有助于减少晶体微观缺陷，降低晶体自吸收概率，降低晶体开裂风险，显著改善了闪烁体内部性能，此外，晶体生长降温完成后，不需要敲碎石英管取出晶体，只需开口倒出晶体即可，石英管清洗后可以循环使用。
- 基于石墨烯颗粒定向凝固单晶叶片的真空炉-201910633660.6
- 朱鑫涛;朱德本;朱玉棠;刘杰 - 泰州市金鹰精密铸造有限公司
- 2019-07-15 - 2019-09-20 - C30B11/00
- 本发明属于单晶叶片应用技术领域，具体公开了基于石墨烯颗粒定向凝固单晶叶片的真空炉，包括炉体、炉盖、炉胆、进气腔体、密封圈、进气口、出气口、圆形中空密封筒、隔热挡圈、石墨烯颗粒、旋转控制杆、单晶叶片连接座、加热器壳体和加热器元件。本发明的基于石墨烯颗粒定向凝固单晶叶片的真空炉的有益效果在于：其设计结构合理，高温梯度2‑3 K/mm，生产成本低（因为抽拉速率高），组织性能提高，可通过抽气灵活改变热场参数等，能对单晶叶片完成高效、稳定的定向凝固作业，提高模壳的强度（石墨烯和本身的模壳表面反应，形成致密的结构提高了强度（可免去在模具表面包裹碳纤维的成本）以及透气性提高（因为是纳米颗粒，热传导性能好）。
- SiC单晶的制造方法及制造装置-201710016842.X
- 加渡干尚;大黑宽典;楠一彦;关和明 - 丰田自动车株式会社
- 2017-01-11 - 2019-09-03 - C30B11/00
- 本发明涉及SiC单晶的制造方法及制造装置。提供一种能维持凹形状的生长面、不使夹杂物产生地使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，晶种保持轴具有轴部和在该轴部的下端的晶种保持部，轴部的直径D1相对于晶种保持部的直径D2的比D1/D2为0.28以下。
- 一种应用于单晶铸造炉的结晶环-201910307810.4
- 朱伟;陈睿;朱兴发;李亚逸 - 苏州振吴电炉有限公司;苏州振湖电炉有限公司
- 2019-04-17 - 2019-08-30 - C30B11/00
- 本发明提供了一种应用于单晶铸造炉的结晶环，包含结晶盘和冷却装置，模壳放置在结晶盘上，所述冷却装置包含气冷部和水冷部，所述气冷部位于水冷部的上方，所述气冷部输出的惰性气体环绕在所述模壳的四周，形成位于上部的气冷区，所述水冷部环绕在所述模壳的外周，形成位于下部的水冷区，且所述气冷区和所述水冷区之间形成预设的温度梯度。本发明的应用于单晶铸造炉的结晶环，由于配置了气冷部和水冷部，对应形成了气冷区和水冷区，且所述气冷区和所述水冷区之间形成预设的温度梯度，也即生成了非常高的温度梯度，使得冷却均匀且冷却速度快，并有助于改进拉单晶工艺，提高单晶叶片的产品生产率和性能。
- 一种用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉-201910557434.4
- 魏守冲 - 江苏守航实业有限公司
- 2019-06-25 - 2019-08-30 - C30B11/00
- 本发明公开了一种用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉，包括底座，所述底座的上端面的左侧固定连接有炉体，所述炉体上盘绕有冷却管，所述底座的上端面的右侧固定连接有储水槽，所述储水槽上端设置有冷却机构，所述冷却机构包括冷却箱体，所述冷却箱体的上端通过连接管贯穿冷却箱体的上端面与冷却箱体内部连通，冷却管与连接管之间固定连接，所述连接管与冷却箱体之间固定连接。本发明，主动齿轮转动的过程中还会带动从动齿轮转动，进而带动从动杆转动，使得从动杆在围绕主动杆转动的过程中还自转，进而使得对热水和冷却液快速的混合冷却，对热水和冷却液的混合液进行搅拌混合，使得二者充分的融合，使得热水快速的降温冷却。
- 用于单晶硅定向凝固生长的坩埚-201821909279.5
- 羊实;庹开正 - 江苏斯力康科技有限公司
- 2018-11-19 - 2019-08-30 - C30B11/00
- 本实用新型公开了用于单晶硅定向凝固生长的坩埚，包括第一坩埚和第二坩埚，所述第二坩埚套设在第一坩埚内，第二坩埚内底部设有籽晶；所述第二坩埚的外径小于第一坩埚的内径，在第一坩埚和第二坩埚之间的环形腔室内设有石墨保温织套，所述石墨保温织套呈轴向两端敞口的筒状结构，石墨保温织套的轴向一端通过连接件固定在环形腔室的顶端、轴向另一端在重力作用下自然垂挂在环形腔室底部，且石墨保温织套的轴向底端设有配重环，配重环的内壁与第二坩埚的外壁接触，配重环的外壁与第一坩埚的内壁接触。本实用新型具有良好的保温效果，利于在定向凝固过程中获得高质量的单晶硅产品。
- 一种准单晶铸锭炉下炉体加热连接结构-201821368573.X
- 华焱 - 常州四杰机械科技有限公司
- 2018-08-24 - 2019-08-27 - C30B11/00
- 本实用新型属于单晶炉技术领域，具体涉及一种准单晶铸锭炉下炉体加热连接结构。该准单晶铸锭炉下炉体加热连接结构，包括下炉底外壳、加热室和加热器，所述下炉底外壳内设有加热室，加热室内设有多根加热器，各加热器均通过加热器连接轴和铜电极连接件与下炉底外壳上的铜电极连接，铜电极外设有防护套，加热器连接轴外设有陶瓷套。其有益效果是：结构简单，使用方便，通过软连接的方式接保证了炉内空间的合理利用，同时也提高了工件的加工效率。
- 用于下降法晶体生长的承托机构-201822237525.3
- 魏建德;方声浩;佘建军;叶宁;张志诚 - 厦门中烁光电科技有限公司;中国电子科技集团公司第二十六研究所
- 2018-12-28 - 2019-08-20 - C30B11/00
- 本实用新型公开了一种用于下降法晶体生长的承托机构，包括下降炉，下降炉内设置有承托碗，承托碗为空心圆柱形，承托碗的一端与托杆固定相连，托杆与下降装置相连；承托碗的另一端容置有坩埚，坩埚与承托碗的间隙填充有低导热材料，下降装置可通过托杆带动坩埚在下降炉内上下移动。本实用新型的用于下降法晶体生长的承托机构结构简单，设计巧妙，可以适应不同尺寸的坩埚，克服了以往需要根据不同坩埚尺寸加工不同承托装置的缺点，同时采用采用氧化锆球填充，使坩埚内温场稳定，生长的晶体内应力小，有利于提高晶体的质量。
- 一种VB/VGF法晶体生长用石英管及装置-201822103836.0
- 邵会民;孙聂枫;孙同年;刘惠生;王书杰;史艳磊;康永;姜剑;付莉杰;张晓丹 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2018-12-14 - 2019-08-16 - C30B11/00
- 本实用新型提供一种VB/VGF法晶体生长用石英管及装置，涉及化合物晶体生长技术领域，采用的技术方案是：一种VB/VGF法晶体生长用石英管，包括石英管体和石英帽，关键在于，所述石英管体上部沿周向设置开口向上的支撑槽，所述石英帽插入支撑槽内，并借助设置在下端的通孔实现石英管内外连通。有益效果是：本VB/VGF法晶体生长用石英管结构简单实用，不用焊接封管，避免了压差造成的“炸管”，可重复实用，节省成本；VB/VGF法晶体生长用装置可直接实现炉体内、石英管内统一抽真空，后续借助密封剂受热状态变化使石英管密封，保证了晶体生长压力。
- 一种半导体制备装置以及砷化镓半导体制备装置-201821021064.X
- 雷仁贵;肖亚东;谈笑天 - 汉能新材料科技有限公司
- 2018-06-29 - 2019-08-13 - C30B11/00
- 本实用新型公开了一种半导体制备装置以及砷化镓半导体制备装置，应用于水平布里奇曼法半导体制备，其中该半导体制备装置包括第一炉体和第二炉体，所述第一炉体和第二炉体分别单独设置温度控制装置，所述第一炉体和所述第二炉体由中间管道连接，其中，在所述中间管道的外周包覆有保温材料。本实用新型的装置实现了有效地独立控制高温区与低温区的温度，避免了由于出现石英管变形和开裂等导致的多晶料氧化或砷泄露，以及多晶料尾部合成不完全等问题；此外，由于高温区与中温区之间设置适当的保温措施，使得蒸发的组分得以完全与其他组分反应，得到配比均匀的半导体化合物。
- 一种应用于水平布里奇曼法的半导体合成装置以及砷化镓多晶的合成装置-201821021624.1
- 雷仁贵;肖亚东;谈笑天 - 汉能新材料科技有限公司
- 2018-06-29 - 2019-08-13 - C30B11/00
- 本实用新型公开了一种应用于水平布里奇曼法的半导体合成装置以及砷化镓多晶的合成装置，其中，该半导体合成装置包括密闭反应管、第一炉体和第二炉体，其中，第一炉体和第二炉体由中间管道连接，反应管放置在由第一炉体、中间管道、第二炉体共同限定的炉腔中，对应第一炉体和第二炉体分别单独设置温度控制装置，其中，反应管在水平方向的不同位置处布置有多个水平舟容器，多个水平舟容器包括至少一个第一层水平舟容器，在第一层水平舟容器的至少一个上设置有支架装置，在支架装置上叠置一第二层水平舟容器，其中，支架装置设置为支撑所述第二层水平舟容器，并在第一层水平舟容器和第二层水平舟容器之间提供间隙。本实用新型的装置允许一次制作多个品质优良的晶棒。
- 一种具有大温度梯度的布里奇曼炉-201910459808.9
- 夏明许 - 共慧冶金设备科技（苏州）有限公司
- 2019-05-30 - 2019-07-26 - C30B11/00
- 本发明公开了一种具有大温度梯度的布里奇曼炉，包括分别安装在安装平台上的加热炉、加热炉移动机构、坩埚安装结构、真空系统以及冷却系统；坩埚安装结构包括分别安装在安装平台上的坩埚支撑底座和坩埚固定立柱，坩埚一端安装在坩埚支撑底座上，其另一端通过坩埚固定卡固定安装在坩埚固定立柱上；且坩埚端部连通真空系统；冷却系统包括位于安装平台底部的冷却介质箱，冷却介质箱通过冷却管、增压泵与冷却介质喷淋管连通，冷却介质喷淋管将冷却介质箱中的冷却介质喷淋至坩埚的外坩埚壁上；外坩埚壁上间隙配合地套接有冷却介质回收槽；本发明大幅降低了固‑液界面前沿温度成分过冷的可能性，进而可以有效提高用于制备单晶的成功率。
- 高压定向生长高强铝合金的装置-201910454358.4
- 王书杰;孟静 - 孟静
- 2019-05-29 - 2019-07-23 - C30B11/00
- 本发明公开了一种高压定向生长高强铝合金的装置，涉及铝合金的制备装置技术领域。所述装置通过对六面顶装置的下垫块进行加强冷却，在上垫块、前垫块、后垫块、左垫块以及右垫块外部设置的感应线圈组通过在高压空间感应加热器来给金属环进行超高压环境下的分区感应加热，并在贴近熔体外部设置多层梯度导热环结构来提高高压状态下熔体的温度梯度，从而实现超高压环境下高强铝合金的定向凝固。
- 基于锅位检测的单晶炉结构-201821688834.6
- 马雪娇;罗艳;陈健;康家健;雷延仓 - 阳光能源（青海）有限公司
- 2018-10-18 - 2019-07-12 - C30B11/00
- 本实用新型公开了一种基于锅位检测的单晶炉结构，包括炉体、设在炉体内的坩埚、设在坩埚底部的坩埚托盘和用于控制坩埚升降的升降杆和用于控制升降杆的控制件，所述控制件设置在操作台内，所述炉体的顶部设置有用于监测坩埚内液面高度的液位监测装置，所述升降杆的顶端设置有升降检测件，所述操作台上设置有监测板，所述监测板上设置有导槽，所述导槽的一侧壁设置有与电阻条且另一侧壁上设置有连接片，所述导槽、电阻条、连接片均与升降杆轴线平行，所述升降检测件上设置有卡设在导槽内以连接电阻条和连接片的卡块，所述电阻条的一端和连接片之间连接有电流检测电路。利用液位监测装置实现坩埚内液面高度的检测，底部的卡块、电阻条、连接片、电流检测电路实现坩埚上升高度的检测，两者结合可实现对锅位的准确检测。
- 一种三维取向可精控的高温合金铸造设备-201821960530.0
- 程干;杜应流;葛丙明;戴勇;冯文刚;施长坤;夏厚明;程善良;朱晓飞 - 安徽应流航源动力科技有限公司
- 2018-11-27 - 2019-07-12 - C30B11/00
- 本实用新型公开了一种三维取向可精控的高温合金铸造设备，包括两个浇注管，两个浇注管相互靠近的一端固定安装有同一个浇口杯，浇口杯的底侧固定安装有底板，底板的顶侧活动安装有两个选晶器。本实用新型结构简单，采用的籽晶制备方法，具有取向精确，晶粒完整性良好，无大角度晶界、杂晶、碎晶、等轴晶等晶粒缺陷存在,具有操作方便，生产效率高的特点，可适合单晶产品大批量生产时使用,采用该方法可有效提高零件的力学性能，更重要的是可精确控制晶体取向小于5°并改善铸件的晶粒完整性，提高了镍基单晶高温合金单晶叶片的性能，延长了产品的使用寿命，降低了铸造生产的废品率,籽晶的重复使用，可以大大的节约单晶的生产成本。
- 一种铸型室、铸造炉及单晶、细晶、非晶铸造方法-201910336969.9
- 赵京晨 - 赵京晨
- 2019-04-24 - 2019-07-09 - C30B11/00
- 本发明公开了一种采用不同步弯曲过冷技术的铸型室、铸造炉及单晶、细晶、非晶铸造方法，属于精密铸造设备技术领域，解决了铸造炉无法同时具备制造单晶、细晶和非晶三种铸造功能以及非晶态还不能获得常规铸造意义上的产物、单晶在工业上也无法达到无树枝晶的平面凝固水平、细晶铸造也因其凝固速度太快而不能满足某些产品对致密度的要求。该三功能铸造炉包括加热线圈绕组、第一冷屏组件、第一超导线圈、第二冷屏组件和第二超导线圈；第一超导线圈设于第一冷屏组件的内部，第二超导线圈设于第二冷屏组件的内部；第一超导线圈和第二超导线圈产生的磁场方向相反；第一超导线圈和线圈绕组构成正向静磁场加热区，第二超导线圈构成反向静磁场区。
- 一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置-201711295529.0
- 王书杰;孙聂枫;刘惠生;孙同年;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2017-12-08 - 2019-07-09 - C30B11/00
- 本发明提供一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置，属于半导体晶体合成与生长装置领域，采用的技术方案是一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置，包括炉体、定位在炉腔内的合成与晶体生长系统及其配套的加热系统、测温系统、保温系统和控制系统，所述合成与晶体生长系统包括坩埚和设置在其水平一侧的挥发元素承载器，挥发元素承载器借助注入管与坩埚连通实现水平注入合成；炉体借助配套的旋转机构具有旋转自由度。有益效果是本装置巧妙设置炉体的旋转系统，控制挥发元素承载容器和晶体生长坩埚的位置变化，水平注入合成和垂直梯度晶体生长巧妙结合；装置结构简单，易于操作和控制，利于半导体晶体的产业化生产。
- 一种水平注入合成后旋转连续VGF晶体生长的方法-201711295536.0
- 王书杰;孙聂枫;刘惠生;孙同年;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2017-12-08 - 2019-07-09 - C30B11/00
- 本发明提供一种水平注入合成后旋转连续VGF晶体生长的方法，属于半导体晶体合成与生长技术领域，采用的技术方案是通过易挥发元素和纯金属元素的直接水平注入合成后，进一步借助旋转奇偶股控制炉体整体缓慢旋转，实现晶体合成后旋转以连续VGF晶体生长，来制备高纯化合物半导体晶体，避免了VGF晶体生长前纯金属将籽晶熔掉，该方法步骤简洁、设备结构简单、易于操作和控制，有利于半导体晶体的产业化生产。
- 蓝宝石单晶生长装置用坩埚、蓝宝石单晶生长装置及方法-201811358116.7
- 李熙春;崔伊植;张桂源;文圣皖;郑大铉;金峻焕;金亨中 - 蓝宝石科技株式会社
- 2018-11-15 - 2019-07-05 - C30B11/00
- 本发明的蓝宝石单晶生长装置用坩埚为通过投入氧化铝原料来使蓝宝石单晶沿着垂直方向生长的坩埚，上部的内部面积大于安装单晶种子的下部的内部面积，从而使单晶种子的使用量最小化，并缩短蓝宝石单晶生长时间。
- 一种单晶硅铸锭用坩埚和单晶硅铸锭方法-201910168212.3
- 罗鸿志;何亮;周成 - 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
- 2019-03-06 - 2019-07-05 - C30B11/00
- 本发明提供了一种单晶硅铸锭用坩埚，包括坩埚本体和引晶层，坩埚本体包括底座和由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁围成一收容空间，引晶层设置在底座朝向收容空间的一侧，引晶层包括位于底座中部的第一单晶区，以及依次环绕设置在第一单晶区外的第一多晶区、第二单晶区和第二多晶区，第二多晶区外围与侧壁贴合；通过在第一多晶区和第二多晶区之间增设第二单晶区，使得在铸锭过程中第一多晶区的多晶晶粒微凸生长并侵入第二单晶区，生成向外生长的孪晶，阻挡第二多晶区中靠近坩埚侧壁的多晶晶粒的倾斜生长入侵第二单晶区，达到主动阻挡的效果，有效提高单晶硅锭的品质。本发明还提供了一种单晶硅铸锭方法。
- 一种III-V族半导体晶体的生长装置及生长方法-201610839770.4
- 狄聚青;朱刘 - 广东先导稀材股份有限公司
- 2016-09-21 - 2019-07-02 - C30B11/00
- 本发明提供了一种III‑V族半导体晶体的生长装置，包括：石英管(1)，所述石英管包括上部的圆柱等径区(1‑1)、中部的倒锥形扩肩区(1‑2)以及底部的圆柱籽晶区(1‑3)；设置于所述石英管内部的坩埚(2)，所述坩埚包括上部的圆柱等径区(2‑1)、中部的倒锥形扩肩区(2‑2)以及底部的锥形籽晶区(2‑3)；设置于所述石英管的圆柱等径区的上方内侧壁的石英支撑环(4)；设置于所述石英支撑环上的石英槽(3)，所述石英槽(3)的中心位置设置有开口。
- 一种可实现单晶在线退火的生长设备及其方法-201610950624.9
- 杨翠柏;陈丙振;方聪 - 珠海鼎泰芯源晶体有限公司
- 2016-10-26 - 2019-06-28 - C30B11/00
- 本发明提供了一种可实现单晶在线退火的生长设备及其方法，所述生长设备包括：炉体、充气系统、真空系统、排气系统，所述退火方法将籽晶，多晶材料，氧化硼放入坩埚，通过垂直梯度温度方法生长单晶棒，生长结束后通入氯气，单晶棒表面附着的氧化硼与氯气反应变成气体，通过真空泵排出罐外，同时对单晶棒进行退火升温工艺，实现生长单晶在线退火。
- 一种填充辅助密封双层安瓿-201820546917.5
- 艾青 - 湖北理工学院
- 2018-04-17 - 2019-06-25 - C30B11/00
- 本实用新型公开了一种填充辅助密封双层安瓿，包括：第一石英管、第二石英管、第三石英管及石英柱，所述第一石英管包括第一石英管本体、第一毛细管及第二毛细管，所述第一石英管本体竖直布置；所述第二石英管密封套设于所述第一石英管，且其内壁与所述第一石英管的外壁之间形成一容纳腔；所述第三石英管竖直布置且其上、下端均开口，所述第三石英管的下端与所述第一石英管本体的上端连通，且其连接部位设置有卡接部；所述石英柱包括石英柱本体及单向阀，所述石英柱本体内置于所述第三石英管，且其下端抵接于所述卡接部。本实用新型的所述第二石英管密封套设于所述第一石英管，减轻了所述第一石英管内部的有机物晶体受到热冲击。
- 专利分类
