[发明专利]一种功率器件及优化功率器件的方法在审
| 申请号： | 201510278835.8 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN106298766A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 侯富诚;曾大杰;宋贺伦;张耀辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/70 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,侯艺 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率器件及优化功率器件的方法。该功率器件包括两个以上的射频横向双扩散功率晶体管管芯，所述两个以上的射频横向双扩散功率晶体管管芯包括第一射频横向双扩散功率晶体管管芯和第二射频横向双扩散功率晶体管管芯，其中，第一射频横向双扩散功率晶体管管芯的阈值电压与第二射频横向双扩散功率晶体管管芯的阈值电压不同。根据本发明，可以在需要多放大器并联、多管芯并联甚至多叉指并联等应用上实现优化线性度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 优化 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括两个以上的射频横向双扩散功率晶体管管芯，所述两个以上的射频横向双扩散功率晶体管管芯包括第一射频横向双扩散功率晶体管管芯和第二射频横向双扩散功率晶体管管芯，第一射频横向双扩散功率晶体管管芯包括第一N型源极、第一N型漏极以及设置在第一N型源极与第一N型漏极之间的第一P型体区；第二射频横向双扩散功率晶体管管芯包括第二N型源极、第二N型漏极以及设置在第二N型源极与第二N型漏极之间的第二P型体区；其中，第一射频横向双扩散功率晶体管管芯的阈值电压与第二射频横向双扩散功率晶体管管芯的阈值电压不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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