[发明专利]一种超高深宽比的超结制造方法有效
| 申请号： | 201510271797.3 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN104966729B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 甘朝阳;江斌;卢烁今;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/66 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超高深宽比的超结制造方法，其包括如下步骤：a、提供第一导电类型的衬底晶圆，并在所述第一导电类型衬底晶圆上淀积第二导电类型导电层，所述第二导电类型导电层全覆盖在衬底晶圆上；b、在上述衬底晶圆上淀积第一导电类型导电层，所述淀积的第一导电类型导电层覆盖在第二导电类型导电层；c、在上述衬底晶圆上重复淀积第一导电类型导电层以及第二导电类型导电层，以在衬底晶圆上得到若干第一导电类型导电层与第二导电类型导电层交替分布的PN柱。本发明工艺步骤简单，与现有工艺相兼容，得到所需深宽比的超结，成本低，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超高深宽比的超结制造方法，其特征是，所述超结制造方法包括如下步骤：（a）、提供第一导电类型的衬底晶圆，并在所述第一导电类型衬底晶圆上淀积第二导电类型导电层，所述第二导电类型导电层全覆盖在衬底晶圆上；（b）、在上述衬底晶圆上淀积第一导电类型导电层，所述淀积的第一导电类型导电层覆盖在第二导电类型导电层；（c）、在上述衬底晶圆上重复淀积第一导电类型导电层以及第二导电类型导电层，以在衬底晶圆上得到若干第一导电类型导电层与第二导电类型导电层交替分布的PN柱；（d）、将上述形成的由PN柱构成的晶柱横向放置，从晶柱上顶点水平切，再研磨，切割得到平面a，以此平面a为基准面，在平面a与晶柱面交界处垂直向下切除；（e）、将其背面切去，再研磨，形成了a平面为正方形的长方体；（f）、以此长方体的中轴线为中心，研磨出圆柱体；（g）、将研磨出圆柱体切割成晶圆片；（h）、在晶圆片的正面淀积N型硅材料，然后按照正面结构进行工艺加工，背面淀积N型材料，进行背面工艺加工。
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