[发明专利]半导体晶片的加工方法在审
申请号: | 201510039063.2 | 申请日: | 2015-01-27 |
公开(公告)号: | CN104810323A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 相川力;小田中健太郎;土屋利夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供半导体晶片的加工方法,其抑制了激光光线透过玻璃钝化膜而从内部破坏该玻璃钝化膜这样的情况,并能够沿着间隔道形成分割槽。在半导体晶片(W)中,在半导体基板(W1)的表面层叠有层叠体(W2),通过层叠体形成多个器件(D)。各器件由间隔道(ST)划分。在器件和间隔道的表面覆盖并形成有玻璃钝化膜(W3)。进行钝化膜切断槽形成工序,在该工序中,沿着间隔道照射对于玻璃钝化膜具有吸收性的波长的CO2激光光线(Lc),从而沿着间隔道形成切断槽(M1)。然后,进行分割槽形成工序,在该工序中,沿着切断槽照射对于层叠体具有吸收性的波长的激光光线(Ly),从而沿着间隔道形成分割槽(M2)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体晶片的加工方法,其是在半导体晶片上沿着间隔道形成分割槽的加工方法,在该半导体晶片中,利用形成为格子状的多条间隔道划分出多个器件,所述多个器件由在半导体基板的表面层叠的含有绝缘膜和功能膜的层叠体形成,并且,在该器件及该间隔道的表面覆盖形成有玻璃钝化膜,该半导体晶片的加工方法的特征在于,所述半导体晶片的加工方法包括如下工序:钝化膜切断槽形成工序,从该玻璃钝化膜侧沿着该间隔道照射对于该玻璃钝化膜具有吸收性的波长的CO2激光光线,沿着该间隔道去除该玻璃钝化膜而形成切断槽;和分割槽形成工序,在实施了该钝化膜切断槽形成工序后,沿着该切断槽照射对于该层叠体具有吸收性的波长的激光光线,沿着该间隔道去除该层叠体而形成分割槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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