[发明专利]半导体晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201510039063.2 申请日: 2015-01-27
公开(公告)号: CN104810323A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 相川力;小田中健太郎;土屋利夫 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供半导体晶片的加工方法,其抑制了激光光线透过玻璃钝化膜而从内部破坏该玻璃钝化膜这样的情况,并能够沿着间隔道形成分割槽。在半导体晶片(W)中,在半导体基板(W1)的表面层叠有层叠体(W2),通过层叠体形成多个器件(D)。各器件由间隔道(ST)划分。在器件和间隔道的表面覆盖并形成有玻璃钝化膜(W3)。进行钝化膜切断槽形成工序,在该工序中,沿着间隔道照射对于玻璃钝化膜具有吸收性的波长的CO2激光光线(Lc),从而沿着间隔道形成切断槽(M1)。然后,进行分割槽形成工序,在该工序中,沿着切断槽照射对于层叠体具有吸收性的波长的激光光线(Ly),从而沿着间隔道形成分割槽(M2)。
搜索关键词: 半导体 晶片 加工 方法
【主权项】:
一种半导体晶片的加工方法,其是在半导体晶片上沿着间隔道形成分割槽的加工方法,在该半导体晶片中,利用形成为格子状的多条间隔道划分出多个器件,所述多个器件由在半导体基板的表面层叠的含有绝缘膜和功能膜的层叠体形成,并且,在该器件及该间隔道的表面覆盖形成有玻璃钝化膜,该半导体晶片的加工方法的特征在于,所述半导体晶片的加工方法包括如下工序:钝化膜切断槽形成工序,从该玻璃钝化膜侧沿着该间隔道照射对于该玻璃钝化膜具有吸收性的波长的CO2激光光线,沿着该间隔道去除该玻璃钝化膜而形成切断槽;和分割槽形成工序,在实施了该钝化膜切断槽形成工序后,沿着该切断槽照射对于该层叠体具有吸收性的波长的激光光线,沿着该间隔道去除该层叠体而形成分割槽。
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