[发明专利]沟槽型超级结器件的版图结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510033925.0 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104617133B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种沟槽型超级结器件的版图结构，是在每个晶粒中具有多个用于形成立柱的沟槽，相邻且平行的沟槽作为一个沟槽阵列，相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直。本申请还公开了一种沟槽型超级结器件的制造方法，已形成的超级结结构是在每个晶粒中具有两个以上的沟槽阵列，每个沟槽阵列由相邻且平行的沟槽所组成，相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直；所述方法包括以离子注入工艺形成覆盖所有沟槽阵列的离子注入区，所形成的离子注入区平行于至少一个沟槽阵列而垂直于至少另一个沟槽阵列；最终在所有沟槽阵列上均形成超级结器件。本申请通过相邻的晶粒或单元中的沟槽阵列的相互垂直的排列方向，来抵消深沟槽刻蚀后的应力，并克服了位错等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 超级 器件 版图 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型超级结器件的版图结构，是在每个晶粒中具有多个用于形成立柱的沟槽，其特征是，相邻且平行的沟槽作为一个沟槽阵列，相邻的沟槽阵列的排列方向相互垂直；栅极覆盖所有沟槽阵列且所述栅极只平行于其中一个沟槽阵列的排列方向；沟槽型超级结器件还包括覆盖所有沟槽阵列的离子注入区，所形成的离子注入区平行于至少一个沟槽阵列而垂直于至少另一个沟槽阵列。
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