[发明专利]功率器件的制备方法和功率器件

摘要

本发明提供了一种功率器件的制备方法包括：形成沟道；在沟道形成P型重掺杂区；形成第一氮化硅层；对沟道和氧化层上方的第一氮化硅层进行刻蚀，以形成第一氮化硅侧墙；对P型重掺杂区进行刻蚀；进行N型注入；形成第二氮化硅层；对沟道和氧化层上方的第二氮化硅层进行刻蚀，以形成第二氮化硅侧墙；对N型重掺杂区进行刻蚀至基片；进行热氧化处理；在热氧化层的区域内形成多晶硅层；去除第一氮化硅侧墙和第二氮化硅侧墙；在多晶硅层上方形成氧化层；形成金属层并进行退火处理，以形成金属接触层；形成金属连接。本发明还提供了一种功率器件，通过本发明的技术方案，有效降低了沟道电阻，在减小器件尺寸的同时保证了器件的性能和可靠性。

主权项

1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在形成P型掺杂区、氧化层的基片上，对所述P型掺杂区进行刻蚀处理以形成沟道；在所述沟道进行P型重掺杂离子注入，以形成P型重掺杂区；在形成所述P型重掺杂区的所述基片上形成第一氮化硅层；对所述沟道和所述氧化层上方的所述第一氮化硅进行刻蚀，以形成第一氮化硅侧墙；对所述P型重掺杂区进行刻蚀，以暴露所述P型掺杂区作为待注入离子的N型掺杂区；对所述待注入离子的N型掺杂区进行N型注入，以形成N型重掺杂区；在形成所述N型重掺杂区的所述基片上形成第二氮化硅层；对所述沟道和所述氧化层上方的所述第二氮化硅层进行刻蚀，以形成第二氮化硅侧墙；对所述N型重掺杂区进行刻蚀至所述基片；对经过刻蚀的所述基片进行热氧化处理；在所述热氧化层的区域内形成多晶硅层；去除所述第一氮化硅侧墙和所述第二氮化硅侧墙；在所述多晶硅层上方形成氧化层；形成金属层并进行退火处理，以形成金属硅化物层作为金属接触层；对所述金属接触层进行增厚处理，以形成金属连接。