[发明专利]半导体结构及其制法在审
| 申请号： | 201510019414.3 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105845587A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈以婕;孙崧桓;张辰安;吴建宏;黄富堂 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48;H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制法，先提供具有多个电性连接垫的晶片，于该电性连接垫上形成金属层，并于部份该金属层上形成钝化层。接着于该金属层上形成导电柱。由于该金属层上有钝化层保护，该金属层可避免底切问题，而能提升导电柱的支撑度，进而提升产品信赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制法，其特征为，该制法包括：提供一具有多个电性连接垫及保护层的晶片，其中，该保护层具有多个保护层开口以外露部份该电性连接垫；于该保护层上形成电性连接该电性连接垫的金属层；形成第一钝化层于部份该金属层上，再于该第一钝化层中形成多个第一开口以外露部份该金属层；形成多个导电柱于该第一开口中的该部份外露的金属层上；以及移除部分的该金属层，以保留该导电柱及该第一钝化层下的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
