[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201480079821.7 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN106463576B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 月原政志;三好晃平;杉山彻 | 申请（专利权）人： | 优志旺电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制深能级发光、提高单色性进而发光效率好的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层，上述n型氮化物半导体层包含AlnGa1－nN(0＜n≤1)，所包含的C浓度为1×1017/cm3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，其在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层，上述n型氮化物半导体层包含AlnGa1－nN，其中0＜n≤1，且所包含的C浓度为5×1016/cm3以下，上述p型氮化物半导体层中所含的C浓度为上述p型氮化物半导体层中掺杂的Mg的掺杂浓度以下，所述氮化物半导体发光元件为主要的发光波长为375nm以下的紫外光发光元件。
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