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[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201480079821.7有效
发明人： 月原政志;三好晃平;杉山彻 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制深能级发光、提高单色性进而发光效率好的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层，上述n型氮化物半导体层包含Al_nGa_1－nN(0＜n≤1)，所包含的C浓度为1×10¹⁷/cm³以下。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]LED元件-CN201480005614.7有效
发明人：三好晃平;月原政志 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于实现在不会发生由与活性层相邻的n型半导体层的晶格失配引起的课题的情况下确保活性层内的水平方向的电流扩展、提高发光效率的LED元件。LED元件是在支撑基板上使氮化物半导体层进行c轴生长而成的元件，其具有用n型氮化物半导体构成的第1半导体层、电流扩散层、用氮化物半导体构成的活性层、以及用p型氮化物半导体构成的第2半导体层。电流扩散层具有由InxGa1‑xN(0＜x≤0.05)构成的第3半导体层与由n‑Aly1Gay2Iny3N(0＜y1＜1，0＜y2＜1，0≤y3≤0.05，y1+y2+y3＝1)构成的第4半导体层的异质结，第3半导体层的膜厚为10nm以上且25nm以下。
led 元件

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201480070883.1在审
发明人： 月原政志;中村薰 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明实现抑制泄漏电流的发生而提高了发光效率的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件的制造方法具有以下工序：在基板上形成n型半导体层的工序(a)；在n型半导体层上将发光层及阻挡层交替地层叠而形成活性层的工序(b)；和供给p型的掺杂剂而在活性层上形成p型半导体层的工序(c)，在工序(b)中，将阻挡层中的位于最靠近p型半导体层的最终阻挡层以与形成于该最终阻挡层内的凹部的直径相比更厚的膜来形成。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件-CN201480047832.7在审
发明人：杉山彻;月原政志;三好晃平;南部纱织 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种一边确保在发光层流动的电流向水平方向扩展一边进一步提高光提取效率的半导体发光元件。半导体发光元件为在支承基板上具有n型半导体层、p型半导体层以及形成在n型半导体层以及p型半导体层之间的发光层的结构，其具备：n侧电极，形成为底面与n型半导体层的上表面接触；反射电极，上表面与p型半导体层的底面接触，并形成在包含n侧电极形成部位的正下位置的区域；以及第1绝缘层，在n侧电极形成部位的正下位置，形成为上表面与反射电极的底面接触。
半导体发光元件

[发明专利]氮化合物半导体发光元件及其制造方法-CN201180013599.7有效
发明人： 月原政志;川崎宏治 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供具有由AlGaN构成的n型层、由AlGaInN构成的活性层以及p型层，放射发光峰值波长为400nm以下的紫外光，且发光强度大的氮化合物半导体发光元件及其制造方法。本发明在具有n型层、活性层以及p型层的氮化合物半导体发光元件中，活性层由包含AlGaInN、且发光峰值波长为400nm以下的氮化合物半导体层构成，n型层具有由AlGaN构成的n型AlGaN层和不含有Al的5nm以上的GaN保护层，在保护层上形成有活性层。制造方法包括：在基板温度为1000℃以上的高温下生长n型AlGaN层；在其上生长不含有Al的5nm以上的GaN保护层；以及中断生长工序而使基板温度降低，在基板温度低于1000℃的低温下，在保护层上形成活性层的工序。
氮化半导体发光元件及其制造方法