[发明专利]石墨烯异质结构场效应晶体管有效
| 申请号： | 201480011246.7 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105027294B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 文廷瑄 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;李荣胜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管包括衬底、位于衬底上方的第一石墨烯(Gr)层、位于衬底上方的第二石墨烯(Gr)层、位于衬底上且在第一石墨烯层与第二石墨烯层之间的氟化石墨烯(GrF)层、位于第一石墨烯层上的第一欧姆接触件、位于第二石墨烯层上的第二欧姆接触件、在氟化石墨烯层上对齐的栅极、以及位于栅极与氟化石墨烯层之间和栅极与第一欧姆接触件及第二欧姆接触件之间的栅电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 烯异质 结构 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：衬底；石墨烯台面，其位于所述衬底上方；所述石墨烯台面的第一石墨烯部分，其位于所述衬底上方；所述石墨烯台面的第二石墨烯部分，其位于所述衬底上方；所述石墨烯台面的氟化石墨烯部分，其位于所述衬底上方、位于第一石墨烯部分与第二石墨烯部分之间；第一欧姆接触件，其位于第一石墨烯部分上方；第二欧姆接触件，位于第二石墨烯部分上方；栅极，其与所述石墨烯台面的所述氟化石墨烯部分重叠对齐；以及栅电介质，其在所述石墨烯台面的上表面上方、所述栅极与所述氟化石墨烯部分之间沉积，并且在所述栅极与第一欧姆接触件和第二欧姆接触件之间沉积。
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