[实用新型]注入增强型绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201420654247.0 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN204144266U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 胡强;王思亮;张世勇 | 申请（专利权）人： | 中国东方电气集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610036 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及功率半导体器件领域，主要是一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管，包括p型集电极，所述p型集电极上设置有载流子扩散层，在所述载流子扩散层上纵向设置有多根沟槽，所述载流子扩散层上横向设置有多排p型活性区和p型非活性区，p型活性区和p型非活性区构成p型基区，呈条纹状；本申请的双极型晶体管中设置有条纹状周期分离性元胞结构，发射极对应形成分离状，使得空穴在发射极未形成覆盖的区域发生积累效应，从而提高沟槽附近区域的载流子浓度，进一步降低导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 增强 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种注入增强型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括p型集电极（101），所述p型集电极（101）上设置有载流子扩散层（103），在所述载流子扩散层（103）上纵向设置有多根沟槽（202），所述载流子扩散层（103）上横向设置有多排p型活性区（1041）和p型非活性区（1042），p型活性区（1041）和p型非活性区（1042）构成p型基区，呈条纹状；每排p型活性区（1041）包括多个独立的p型活性区（1041），多个p型活性区（1041）之间被所述沟槽（202）隔开，每排p型非活性区（1042）包括多个独立的p型非活性区（1042），多个p型非活性区（1042）之间被所述沟槽（202）隔开；所述每个p型活性区（1041）上设置有n型发射极（105），所述n型发射极（105）呈H型。
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