[实用新型]一种非易失性三维半导体存储器

摘要

本实用新型公开了一种非易失性三维半导体存储器，包括多个垂直方向的三维NAND存储串，每一个三维NAND存储串包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的源区、漏区和沟道。本实用新型采用浮栅晶体管作为存储单元，采用硫系化合物作为沟道材料，存储单元采用围栅结构，并且沟道区域与源漏区域采用同种材料，形成无结结构，很好的避免了短沟效应。

主权项

一种非易失性三维半导体存储器，包括多个垂直方向的三维NAND存储串，其特征在于，每一个三维NAND存储串包括：水平衬底(100)、垂直于所述衬底(100)的圆柱形半导体区域(1)、分别位于所述半导体区域(1)上、下的第二电极(202)和第一电极(201)、包裹所述圆柱形半导体区域(1)的隧穿电介质(11)、围绕隧穿电介质(11)上、下分布了多个分立的电荷存储层(9)、包裹了隧穿电介质(11)以及多个电荷存储层(9)的阻隔电介质层(7)、以及最外围与绝缘层(122)相堆叠的控制栅电极(121)；所述圆柱形半导体区域(1)包括多个存储单元的源区、漏区以及沟道；均采用同一种材料填充；在源区与沟道之间不形成PN结，在漏区与沟道之间不形成PN结；所述沟道区域为圆柱形，且所述控制栅电极(121)围绕所述沟道区域形成围栅结构。