[实用新型]高耐压LDMOS器件有效
| 申请号： | 201420455393.0 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN204067371U | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 崔永明;王作义;彭彪;李保霞;张干;王建全 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 罗言刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型所述高耐压LDMOS器件，包括具备第一掺杂类型的外延层及位于外延层上具备第二掺杂类型的源区和漏区，漏区靠近源区一侧为具备第二掺杂类型但掺杂浓度低于漏区的漂移区，漂移区与源区之间为第一掺杂类型的沟道区，所述沟道区上方设置有栅绝缘层和栅极，所述漂移区和沟道区下方还有具备第二掺杂类型且掺杂浓度高于漂移区的埋层，所述埋层与漂移区底部接触。本实用新型所述的高耐压LDMOS器件，通过埋层设置在漂移区和沟道区交界处构建二维电场，分散了漂移区表面的电场分布，从而降低了击穿可能性，提高了器件耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 耐压 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
高耐压LDMOS器件，其特征在于，包括具备第一掺杂类型的外延层及位于外延层（1）上具备第二掺杂类型的源区（7）和漏区（4），漏区靠近源区一侧为具备第二掺杂类型但掺杂浓度低于漏区的漂移区（5），漂移区与源区之间为第一掺杂类型的沟道区，所述沟道区上方设置有栅绝缘层（3）和栅极（2），所述漂移区（5）和沟道区下方还有具备第二掺杂类型且掺杂浓度高于漂移区的埋层（6），所述埋层（6）与漂移区（5）底部接触。
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