[实用新型]热处理装置有效
| 申请号： | 201420074350.8 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN203795020U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 孙少东;周厉颖;王艾 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体处理装置，公开了一热处理装置，包括热处理加热结构、第二保温部、第三保温部及外壳，其中：热处理加热结构包括第一保温部及加热部，第一保温部环绕待加热样品形成一加热腔，加热部部分嵌入所述第一保温部内，加热部朝向待加热样品的一侧裸露。本实用新型提供的热处理装置包括置于内层的第一保温部、置于外层的第二保温部、以及置于顶部的第三保温部，具有全方位的良好保温性能，且该热处理装置包括多个长度可根据需求灵活定义的热处理加热结构，在简化热处理装置成型制作过程、提高热处理装置生产效率的同时，还可通过对各热处理加热结构的分别控制实现分段控温，提高了热处理装置的热处理质量和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
【主权项】：
一种热处理装置，其特征在于，包括热处理加热结构、第二保温部、第三保温部及外壳，其中：所述热处理结构包括第一保温部及加热部，所述第一保温部为空心结构，环绕待加热样品形成一加热腔，其特征在于，所述加热部部分嵌入所述第一保温部内并与之固定，所述加热部朝向待加热样品的一侧裸露，以加热所述待加热样品；该热处理装置中，所述热处理加热结构为一个或多个，沿所述加热腔轴向依次叠加放置；所述第二保温部环绕所述叠加放置的热处理加热结构并覆盖其外表面；所述第三保温部置于所述热处理装置的顶部，以实现热处理装置顶部的保温；所述外壳环绕所述第二保温部并覆盖其外表面。
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- 2017-08-11 - 2019-02-22 - C30B33/02
- 一种退火装置包括：基座；设置在所述基座上的炉膛；两炉门，所述两炉门分别设置在所述炉膛两相对侧，所述炉门关闭时能够封闭所述炉膛；两支架台，所述两支架台设置于所述基座上，且分别用于放置待退火的石英棒；其中当所述两炉门均开启时，所述两支架台中的一个能够从两炉门中的其中一个移进所述炉膛而两支架台中的另一个从两炉门中的另一个移出所述炉膛。本发明还提供一种退火方法，所述退火装置及退火方法能够提高退火效率。
- 一种力热耦合消除NiMnGa单晶中孪晶的方法-201811381088.0
- 蒋成保;任莉;王敬民 - 北京航空航天大学
- 2018-11-20 - 2019-02-22 - C30B33/02
- 本发明公开了一种力热耦合消除NiMnGa单晶中孪晶的方法，包括将NiMnGa单晶加热到150℃～200℃并保温5min～15min，然后在保持温度不变的情况下沿NiMnGa单晶的[100]方向施加单轴拉力，以在拉力作用下，在降温相变过程中消除NiMnGa合金T型结构马氏体单晶中的孪晶。本发明还公开了一种利用上述方法制备的NiMnGa去孪晶组织。本发明能有效消除合金中的孪晶，实现单变体组织，使材料具备各向异性，从而获得可回复的应力诱发和磁场诱发的大变形量。同时，工艺简单，能有效避免工艺过程中裂纹的产生对材料的破坏。
- 一种硅片退火用石英舟-201820769927.5
- 王永超;郭城;吕明;李忠泉 - 济南科盛电子有限公司
- 2018-05-23 - 2019-02-22 - C30B33/02
- 一种硅片退火用石英舟，包括底部托架，上部托架，上部横梁，端部框架，端部挡板，底部横梁，所述的底部托架为半圆弧槽型框架结构，所述的上部托架为四方形中空框架结构，所述的上部横梁固定在上部托架框架之间，所述的底部横梁固定在底部托架之间，所述的端部挡板固定在上部托架与底部托架之间，所述的端部框架固定在底部托架和上部托架之间；石英舟可同时放置多片单晶硅片，结构简单，取拿方便，并且材质在高温环境下不会对硅片材质发生影响。
- 真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统及方法-201811092132.6
- 魏旭东;夏伟锋 - 上海迈铸半导体科技有限公司
- 2018-09-19 - 2019-02-19 - C30B33/02
- 本发明提供一种真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统及方法，真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统包括：真空腔室，真空腔室包括腔室壳体及位于腔室壳体内的真空容纳腔室，腔室壳体上形成有与真空容纳腔室相连通的开口；加热器，位于真空腔室内，用于放置待处理结构，并对待处理结构进行加热，待处理结构至少包括待处理晶圆；环形可调节支撑结构，插入至真空腔室内，且压置于待处理结构上；冷却系统，至少部分位于环形可调节支撑结构内。本发明的真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统可以在不影响真空腔室正常工作的前提下对真空腔室内待冷却的结构进行快速冷却；且可以根据需要灵活调节冷却速率。
- 一种硅片快速冷却装置-201820770116.7
- 王永超;郭城;吕明;李忠泉 - 济南科盛电子有限公司
- 2018-05-23 - 2019-02-15 - C30B33/02
- 本实用新型涉及硅单硅片加工工艺装置，尤其是一种硅片快速冷却装置。该硅片快速冷却装置，包括风机、设置于风机出风口底部的导风筒和设置于导风筒内部下端的匀风网，导风筒内部水平设置有“S”型连续弯折冷却管，导风筒底部设置有冷却腔罩，冷却腔罩一侧的底端设置有开口，冷却腔罩下部设置有石英舟操作台，位于冷却腔罩正下方的石英舟操作台内设置有漏风排风机构，位于冷却腔罩开口侧前端的石英舟操作台上设置有石英舟位置控制机构。本实用新型的一种硅片快速冷却装置，结构设计新颖，能够批量对多个石英舟内的硅片进行快速冷却，不仅提升了冷却速度和冷却均匀性，而且冷却过程中极大减小硅片的晃动，确保了硅片的生产良率。
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