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[发明专利]一种衬底加工装置-CN202110159084.3有效
发明人：李瑞评;曾柏翔;张佳浩;杨良;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底加工方法及其加工装置，通过测量装置确定衬底的厚度和不对称面型，利用激光器对所述衬底进行激光扫描，激光器根据测量出的衬底参数自动设置匹配的激光参数，在所述衬底中形成改质点以使所述衬底收敛为对称面型，均匀衬底的应力，提高衬底的应力收敛性，使衬底对称面型的比例提高至100%，对称面型的衬底有利于提高后续外延层波长的收敛性，进而使得器件良率大大提升。
一种衬底加工装置

[发明专利]衬底加工方法、外延用衬底及半导体发光元件及制造方法-CN202010668211.8有效
发明人：李瑞评;曾柏翔;张佳浩;陈铭欣;曾建尧 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底加工方法、外延用衬底及半导体发光元件及其制造方法，本发明的方法中，自晶棒切割得到衬底之后，在衬底背面镀膜，形成衬底增强膜，例如在蓝宝石衬底的衬底背面沉积金刚石薄膜，该金刚石薄膜形成蓝宝石衬底的衬底增强膜。由于金刚石的硬度大于蓝宝石衬底的硬度，因此能够通过该金刚石薄膜增强蓝宝石衬底的强度，在满足强度需求的前提下，就可以适当减小衬底的厚度，同时降低衬底加工的成本。另外，金刚石薄膜的导热性优于衬底的导热性，因此在衬底背面沉积金刚石薄膜增加了衬底的导热性，使得衬底在用于外延层生长的过程中，提供温度的均匀性，减少热应力的产生，大幅度提高外延层的质量。由此能够提高后期器件的良率。
衬底加工方法外延半导体发光元件制造

[发明专利]一种衬底及其加工方法、发光二极管及其制造方法-CN202310010419.4在审
发明人：张佳浩;周光权;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种不对称面型衬底的加工方法、发光二极管及其制造方法。首先确定衬底所呈现的不对称面型，并确定所述不对称面型的不对称取向，在不对称取向上对衬底进行局部的喷砂处理，将该局部区域调凹，补偿衬底的应力分布，使所述衬底由不对称面型收敛为对称面型。呈现对称面型，例如碗型的衬底，对称面型的衬底有利于优化后续形成的外延层的波长均匀性。
一种衬底及其加工方法发光二极管制造

[发明专利]外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法-CN202211723194.9在审
发明人：曾柏翔;张佳浩;洪嘉悦;杨良;李瑞评;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供一种外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法。通过对衬底，尤其是衬底的部分区域进行激光扫描，在衬底内部形成多个改质点，以此改善衬底内部的应力，使衬底形成特定的形状，以与外延过程中的温场和热场适应，进而降低单个衬底内的不同区域以及多个衬底之间的外延波长均匀性。
外延衬底及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]抛光头、抛光装置和抛光方法-CN202211728960.0在审
发明人：徐德勤;张佳浩;刘增伟;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本申请提供一种抛光头、抛光装置和抛光方法，用于安装被抛光工件，抛光头用于安装被抛光工件，包括：抛光头本体和压电陶瓷，压电陶瓷安装于所述抛光头本体之内，压电陶瓷用于与超声发生器连接以使抛光头振动。有效减小了压电陶瓷与安装在抛光头上的被抛光工件之间的距离，进而减小压电陶瓷产生的振动在传递至被抛光工件的过程中的功率损耗，在抛光被抛光工件时使被抛光工件的振幅相对较大，最终达到获得更好的抛光效果的目的；而且，减小压电陶瓷产生的振动在传递至被抛光工件的过程中的功率损耗，还可以使被抛光工件在抛光时获得较高的振动频率，进而获得更好的抛光效果。
抛光装置方法

[发明专利]一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端-CN202010325306.X有效
发明人：李瑞评;曾柏翔;张佳浩;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06T7/60 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端。该方法沿不同的圆周对衬底的表面进行圆周线扫描，获得不同圆周上的多条扫描曲线；获得衬底的圆心高度h0以及每个圆周上的多条扫描曲线的高度统计值中的最大值himax和最小值himin；根据最大值、最小值与圆心高度的关系判断衬底的弯曲类型。对于具有复杂的弯曲曲线的衬底，该方法能够保证判断结果的准确性。另外，该方法采用线扫描方法，整个过程无需人工判断，更加节约时间节约人力成本，利于衬底弯曲形状测量的量产，同时能够保证测量结果的准确性。本发明的测量装置、存储介质及终端能够执行本发明的上述方法，因此同样具有上述技术效果。
一种衬底弯曲形状测量方法装置存储介质终端

[发明专利]一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端-CN202010325384.X有效
发明人：李瑞评;曾柏翔;张佳浩;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06T7/60 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底弯曲形状的测量方法、装置、存储介质及终端。该方法在不同方向上对衬底表面进行线扫描获得扫描曲线，对不同方向上的扫描曲线分别进行曲线拟合获得拟合曲线，并根据拟合曲线的平均曲率及弧长求得拟合曲线的弯曲角度，根据该弯曲角度测量并判断衬底的弯曲类型。对于具有复杂的弯曲曲线的衬底，该方法能够保证测量结果的准确性。另外，该方法采用线扫描方法，整个过程无需人工判断，更加节约时间节约人力成本，利于衬底弯曲形状测量的量产，同时能够保证测量结果的准确性。本发明的测量装置、存储介质及终端能够执行本发明的上述方法，因此同样具有上述技术效果。
一种衬底弯曲形状测量方法装置存储介质终端

[发明专利]一种衬底加工方法及半导体器件制造方法-CN202211339354.X在审
发明人：曾柏翔;张佳浩;周光权;李瑞评;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-10-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种衬底加工方法及半导体器件制造方法。本发明中在对晶棒进行切割之前，首先利用表面处理剂对晶棒的侧面进行表面处理，使得晶棒在随后的退火过程中与表面处理剂发生反应而形成改性层，切割表面处理后的晶棒以得到多个衬底，每一个衬底的外圈边缘部分均包括改性区域，由于改性区域与衬底中间区域的材料的晶格和热力学性质的差别，在衬底改性层区域的范围会形成稳定的应力区域，控制衬底发生的扭曲/弯曲的方向和程度，进而优化衬底的面型，提高衬底的加工质量和品质。
一种衬底加工方法半导体器件制造

[发明专利]一种衬底加工方法及半导体器件制造方法-CN202080004967.0有效
发明人：李瑞评;曾柏翔;张佳浩;刘增伟;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底加工方法以及半导体器件制造方法，衬底加工过程中，自晶棒切割得到多个衬底之后，对衬底的表面进行处理，可以是衬底的单面或者双面，然后对衬底进行退火。在退火过程中，在催化剂的作用下，表面处理剂中的软化剂与衬底发生反应，形成一层较软材料的改性层，该改性层为疏松结构，起到软化衬底的作用，降低了衬底表面的硬度。在后续的研磨及抛光过程中，能够显著提高研磨和抛光效率，降低衬底的加工难度。通过调整退火工序的温度及时间，控制表面处理剂与衬底的反应程度，控制被软化的衬底的厚度，进而降低后续机械加工的难度，提高衬底的加工质量。
一种衬底加工方法半导体器件制造

[发明专利]晶片翘曲测量装置和方法-CN202110225519.X有效
发明人：李瑞评;曾柏翔;陈燕;张佳浩;郑贤良;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片翘曲测量装置和方法，所述装置包括：加热部件，其用于加热晶片；加热控制器，用于控制加热部件的加热参数和/或状态；温度探测器，用于探测晶片、加热部件或晶片周围环境的温度；光源，用于产生探测光束；第一光学组件，用于基于探测光束获得平行入射光束；反射镜组，用于将平行入射光束进行反射形成第一入射光路和第二入射光路，以使平行入射光束分别沿两入射光路垂直于水平面到达晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置；光电探测器，用于探测从晶片正面中央位置和晶片正面边缘位置反射的、沿第一入射光路和第二入射光路返回的光束，基于两路光返回时间差确定晶片中央位置和晶片边缘位置的高度差，从而确定受热晶片的翘曲度。
晶片测量装置方法

[发明专利]一种半导体衬底的制作方法-CN202211061758.7在审
发明人：张佳浩;周光权;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体衬底的制作方法，首先对半导体衬底进行两次激光切割，第一次激光切割在半导体衬底中得到引导层，引导层中包括多个间隔排布的第一孔洞，第二次激光切割在引导层的深度处得到多个第二孔洞，第二孔洞的尺寸小于第一孔洞，且多个第二孔洞与多个第一孔洞形成连续结构以形成剥离层，再通过甩胶、降温处理，最后基于剥离层对衬底进行剥片。本发明采用非物理接触激光切割技术，产生的应力较小；且激光切割分两步进行，由于大幅度降低了剥离层的大尺寸孔洞的数量，因此避免了半导体衬底破裂报废的问题；另外，本发明在衬底的制作过程中产生的损伤层较薄，从而能够减少抛光时间，提高生产效率。
一种半导体衬底制作方法

[发明专利]一种蓝宝石抛光液及其制备方法-CN202110890629.8在审
发明人：刘增伟;李瑞评;曾柏翔;陈铭欣;陈燕;杨良 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石抛光液及其制备方法，借助氧化铝磨粒的高硬度提供机械移除能力，在适宜KOH浓度下，分多次适量添加与氧化铝反应更为柔和的辅助磨料，例如氧化硅、氧化铈等能够起到进一步增强化学移除而不会造成氧化铝磨料过分消耗，从而实现抛光过程中整体移除率提升的效果，同时也增加了蓝宝石抛光液的使用寿命。
一种蓝宝石抛光及其制备方法

[发明专利]一种衬底加工方法及半导体器件制造方法-CN202110890808.1在审
发明人：李瑞评;曾柏翔;刘增伟;张佳浩;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B24B19/22 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底加工方法以及半导体器件制造方法，衬底加工过程中，自晶棒切割得到多个衬底之后，对衬底的表面进行处理，可以是衬底的单面或者双面，然后对衬底进行退火。在退火过程中，在催化剂的作用下，表面处理剂中的有机可溶钙盐与衬底发生反应，形成一层较软材料的改性层，该改性层为疏松结构，起到软化衬底的作用，降低了衬底表面的硬度。表面处理剂中的有机可溶钙盐易溶于水，可配制成均匀溶液喷洒在衬底表面，使衬底表面涂敷得更均匀，提高衬底软化深度的均匀性。在后续的研磨及抛光过程中，能够显著提高研磨和抛光效率，降低衬底的加工难度。通过调整退火工序的温度及时间，控制表面处理剂与衬底的反应程度，控制被软化的衬底的厚度，进而降低后续机械加工的难度，提高衬底的加工质量。
一种衬底加工方法半导体器件制造

[发明专利]衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管-CN202210739822.6在审
发明人：张佳浩;郑贤良;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，所述衬底加工方法包括将晶棒进行切割处理，获得衬底，对衬底的切割表面进行刻蚀处理，以对衬底的翘曲度进行初步修复，对衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对衬底的翘曲度进行进一步补偿修复。本发明所述的衬底加工方法不包括研磨、铜抛等制程，采用刻蚀和隐切步骤降低线切后衬底产生的内应力及翘曲度，消除了研磨制程对于衬底造成再次损伤，简化了衬底加工步骤，节省了衬底材料，进而降低了衬底的生产成本。
衬底加工方法发光二极管制造

[发明专利]衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管-CN202210739925.2在审
发明人：张佳浩;刘增伟;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，所述的衬底加工方法包括对晶棒进行切割处理，获得衬底；对衬底的切割表面进行退火处理，以对衬底的翘曲度进行初步修复；对衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对衬底的翘曲度进行进一步补偿修复。本发明所述的衬底加工方法不包括研磨、铜抛等制程，采用退火和隐切步骤降低线切后衬底产生的内应力及衬底的翘曲度，进而消除了研磨制程对于衬底造成再次损伤，简化了衬底加工步骤，节省了衬底材料，降低了衬底的生产成本。
衬底加工方法发光二极管制造

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