[发明专利]一种圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法，该圆片级扇出PoP封装通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成，相邻扇出PoP封装单元之间通过第二焊球实现互联，采用第二塑封材料进行包覆密封。扇出PoP封装单元包含IC芯片、第一塑封材料、第二粘贴材料、金属凸点结构、第一金属层、第二金属层、第一再布线金属走线层、第一介电材料层、第二再布线金属走线层、第二介电材料层、第一焊球和第二焊球。IC芯片的键合焊盘与第一再布线金属走线层互联。金属凸点结构构成模塑料通孔，模料通孔实现扇出PoP封装单元内的上、下封装体之间以及与外部结构的三维集成互联。制造该圆片级扇出PoP封装结构的主要方法：在第一载体圆片上配置金属基材圆片，在金属基材圆片上表面制作金属凸点结构，上芯，塑封，制作第一再布线金属走线层，配置第二载体圆片，去除第一载体圆片，对金属基材圆片下表面进行蚀刻，形成第二再布线金属走线层，堆叠回流焊，去除第二载体圆片，植球和回流焊工艺后形成扇出PoP封装单元，至少一个扇出PoP封装单元进行堆叠回流焊，塑封后形成圆片级扇出PoP封装。该发明解决了现有PoP封装技术所存在的封装密度、成本和可靠性问题。

主权项

一种圆片级扇出PoP封装结构，其特征在于，通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成；一个扇出PoP封装单元由两个相同结构的封装体构成；所述一个封装体包括有金属凸点结构(2)、IC芯片(3)、键合焊盘(4)、第二粘贴材料(5)，第一塑封材料(6)、第一再布线金属走线层(7)、第一金属层(8)、第一介电材料层(9)、第二再布线金属走线层(10)、第二介电材料层(11)、第二金属层(12)；所述IC芯片(3)带有键合焊盘(4)，第二粘贴材料(5)粘贴于IC芯片(3)的表面，第一塑封材料(6)包围金属凸点结构(2)和IC芯片(3)，IC芯片(3)的键合焊盘(4)与第一再布线金属走线层(7)连接，第一再布线金属走线层(7)上制作有第一金属层(8)，第一介电材料层(9)包围第一再布线金属走线层(7)，并涂覆在IC芯片(3)、金属凸点结构(2)和第一塑封材料(6)同一侧面；在IC芯片(3)、金属凸点结构(2)和第一塑封材料(6)另一个侧面涂覆有第二介电材料层(11)，第二介电材料层(11)包围第二再布线金属走线层(10)，第二再布线金属走线层(10)上制作有第一金属层(12)；两个相对放置的封装体的第二金属层(12)由第一焊球(13)连接，并在一个封装体的第一金属层(8)上连接第二焊球(14)，形成一个扇出PoP封装单元；第二焊球(14)再连接有一个相对放置的扇出PoP封装单元的第一金属层(8)，所述未植球部分的第一金属层(8)、第一焊球(13)及其连接的一对第二金属层(12)、第二焊球(14)及其连接的一对第一金属层(8)包围有第二塑封材料(15)，形成一个圆片级扇出PoP封装结构。