[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201410818310.4 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105280218B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李铉雨;张修宁 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括：激活状态检测器，其适于在激活状态检测模式中检测在正常激活命令或额外激活脉冲被激活时的时刻之后是否经由预定的时间，以及基于检测结果来产生额外预充电脉冲；列控制器，其适于在激活状态检测模式中，基于额外预充电脉冲、列地址和外部列命令来产生额外激活脉冲；以及核心区，其适于基于正常激活命令或者与额外激活脉冲相对应的额外激活命令而被激活，并且基于与额外预充电脉冲相对应的额外的预充电命令或正常预充电命令而被预充电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：激活状态检测器，其适于：在激活状态检测模式中检测在正常激活命令或额外激活脉冲被激活时的时刻之后是否经过预定的时间，以及基于检测结果来产生额外预充电脉冲；列控制器，其适于：在所述激活状态检测模式中，基于所述额外预充电脉冲、列地址和外部列命令来产生所述额外激活脉冲；以及核心区，其适于：基于正常激活命令或者与所述额外激活脉冲相对应的额外激活命令而被激活，以及基于与所述额外预充电脉冲相对应的额外的预充电命令或者正常预充电命令而被预充电。
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