[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410638101.1 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104638025B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 佐久间盛敬 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具备：场绝缘膜(17、18)，其被设置在P型外延生长层(13)上并具有第一角部(17a)、(17b)、(18a)、(18b)；N‑型的阴极(14)，其被设置在所述P型外延生长层上并位于所述场绝缘膜的内侧，P‑型的阳极(20)，其以与所述阴极上方相连接的方式而形成并对所述场绝缘膜的内侧的所述第一角部进行覆盖，所述阴极与所述阳极的接合部为二极管的PN接合部，所述PN接合部与所述第一角部分离。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极 场绝缘膜 半导体装置 外延生长层 阳极 角部 二极管 接合部 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：场绝缘膜，其被设置在半导体层上，且具有第一角部；第一导电型的第一杂质区域，其被设置在所述半导体层上并位于所述场绝缘膜的内侧；第二导电型的第二杂质区域，其以与所述第一杂质区域上方相连接的方式而被设置，并且对所述场绝缘膜的内侧的所述第一角部进行覆盖；第一导电型的第三杂质区域，其被设置在所述半导体层上，并被设置在所述场绝缘膜的外侧；第一导电型的第四杂质区域，其被设置在所述半导体层下方，并与所述第三杂质区域以及所述第一杂质区域相连接，所述第一杂质区域与所述第二杂质区域的接合部为二极管的PN接合部，所述PN接合部与所述第一角部分离，所述场绝缘膜具有第二角部，所述第三杂质区域对所述场绝缘膜的外侧的所述第二角部进行覆盖。
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